欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HD882S 参数 Datasheet PDF下载

HD882S图片预览
型号: HD882S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 31 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
ñ PN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
音频功率放大器
低速切换
HD882S
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………0.75W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
E B Ø
— —
发射极 - 基极电压...
… … … … … … … … … …5
V
I
C
——
集电极电流.......................................... 3一
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
CBO
I
EBO
H
FE
 
V
CE
(SAT)
V
BE ( SAT )
 
f
T
COB
 
 
100 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
80 
55 
100 
100 
490 
0.5 
2.0 
 
 
�½�A 
V
CB
=30V,
I
E
=0
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
�½�A 
V
EB
= 3V ,我
C
=0
 
V 
V 
V
CE
= 2V ,我
C
=1A 
I
C
= 2 A,I
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A 
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
MH�½� 
V
CE
= 5V ,我
C
=0.1A
�½�F 
V
CB
= 10V ,我
E
=0 ,f=1MH�½�
h
FE
分类
Q
P
 
160—320   
 
E
260—490   
   
 
 
 
 
100—200