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HE13005 参数 Datasheet PDF下载

HE13005图片预览
型号: HE13005
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 89 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
NPN硅晶体管
HE13005
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION
高速开关
适用于开关稳压器和Montor控制
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 75W
V
CBO
--Collector -基地
电压700V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压400V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压9V
I
C
--Collector
当前
(DC)的
…………………………………
4A
I
C
--Collector
Current Pulse)…………………��………… 8A
 
 
TO-220AB
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
I
B
内部BASE
Current……………………………………………2A
█ 电参数
(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
发射极截止电流
400 
 
10 
8 
 
 
 
 
 
 
4 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
65 
 
 
1 
40 
40 
0.5 
0.6 
1 
1.�� 
1.6 
 
 
0.8 
4 
0.9 
V 
�½�A 
 
 
V 
V 
V 
V 
V 
�½�F 
MH�½� 
μS 
μS 
μS 
=10�½�A,I
=0 
EB
=9V, I
=0 
CE
=5V, I
=10A 
CE
=5V, I
=2A 
=1A, I
=0.2A 
=2A, I
=0.5A 
=4A, I
=1A 
=1A, I
=0.2A 
=2A, I
=0.5A 
CB
=10V,�½�=0.1MH�½� 
CE
=10V, I
=0.5A 
 
CC
=125V,���I
=2A 
B1
=-I
B2
=0.4A 
H
FE(1)
 
直流电流增益
H
FE(2)
   
V
CE(sat1)
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
   
V
CE(sat3)
   
V
BE(sat1)
 
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
   
COB
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
输出电容
电流增益带宽积
开启时间
存储
下降时间
时间
h
FE
分类: H1
(10--16)
H2
(14--21)
H3
(19--26)
H4
(24--31)
H5
(29--40)