汕头华汕电子器件有限公司。
PNP硅晶体管
HEB834
ⅳ.APPLICATIONS :
低频功率放大器。
█
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 30W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)……………………1.5W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage……………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -60V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压-7V
I
C
--Collector
目前............................................. -3A
IB - 基极电流............................................. -0.5A
TO-220AB
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
█
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
-60
60
20
-0.5
-0.7
9
150
0.4
1.7
0.5
发射极截止电流
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(上)
基射极电压上
f
t
COB
t
ON
t
英镑
t
F
电流增益带宽积
I
C
= -50mA , I = 0时
B
-100 μA
V
CB
= -60V ,我
E
=0
-100 μA
V
EB
= -7V ,我
C
=0
200
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5A
-1
-1
V
V
V
CE
= -5V ,我
C
=-3A
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5A
V
MH�½�
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5A,
�½�F
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MH�½�
μS
μS
μS
I
B1
= -I
B2
=-0.2A
V
CC
=-30V
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
█
h
FE
分类
O
60—120
Y
100—200