欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HEP31 参数 Datasheet PDF下载

HEP31图片预览
型号: HEP31
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 68 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HEP31的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
Mediu�½� Power Linear switching Applications.
HEP31系列
(HEP31/HEP31A/HEP31B/HEP31C)
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ )
……………………………40W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)……………………………2W
V
ç BO
--Collector -基地
电压: V
首席执行官
--Collector发射极
电压
HEP31………………………………40V
HEP31A……………………………60V
HEP31B……………………………80V
HEP31C…………………………100V
V
E B Ø
——
发射极 - 基极电压.................................... 5 V
I
C
--Collector
Current(DC)………………………………………3A
I
C
--Collector
Current(Pulse)……………………………………5A
IB - 基极电流
………………………………………………1A
TO-220AB
1―Base,B
2―Collector,
C
3―Emitter,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
BV
首席执行官
特征
集电极 - 发射极击穿电压
最小典型最大单位
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
0.3 
0.3 
200 
200 
200 
200 
 
50 
1.2 
1.8 
1 
 
V 
V 
V 
V 
�½�A 
�½�A 
μA 
μA 
μA 
μA 
 
 
V 
V 
�½�A 
MH�½� 
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
=0 
HEP31
40 
HEP31A
60 
HEP31B
80 
HEP31C
100 
I
首席执行官
集电极截止电流HEP31 / HEP31A
 
HEP31B / HEP31C
 
I
CES
集电极截止电流
HEP31
 
HEP31A
 
HEP31B
 
HEP31C
 
H
FE(1)
 
*直流电流增益
25 
H
FE(2)
   
10 
V
CE ( SAT )
 
*集电极 - 发射极饱和电压
 
V
BE(上)
*基射极电压上
 
I
EBO
发射极截止电流
 
f
T
电流增益带宽积
3.0 
V
CB
= 30V ,我
B
=0
V
CB
= 60V ,我
B
=0
V
CE
=40V, V
EB
=0
V
CE
=60V, V
EB
=0
V
CE
=80V, V
EB
=0
V
CE
=100V, V
EB
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=1A 
V
CE
= 4V ,我
C
=3A 
I
C
= 3A ,我
B
=375mA
 
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
=10V,
I
C
=500mA
,�½�=1MH�½�
*
Pulse Test:PW≤300μ�½�,D�½��½��½� �½��½��½��½��½�≤2%