汕头华汕电子器件有限公司。
HFP30N06
N沟道增强型网络场效晶体管
General
描述
这是功率MOSFET采用先进的平面条形制作， DMOS
技术。这项最新的技术已经经过特别设计，以尽量减少
通态电阻，有出色的开关性能低栅极电荷，
和坚固的雪崩特性。此设备是非常适合于同步
DC-DC转换器和电源管理的便携式和电池供电
产品。
TO-220
1克2- -D 3 -S
█特点
60V ，R
DS
（上）
＜0.04?
@V
GS
= 10 V
•低栅极电荷
• 100 ％雪崩测试
•改进dv / dt能力
•同等类型： FQP30N06
•
30A,
█
最大额定值
（Ta=25
℃
�½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½�）
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
－55~175���
T
j
■工作
结温------------------------------------------------ - 175 ℃
V
ð S S小
——
漏 - 源电压---------------------------------------------- ------------ 60V
I
D
——
漏电流（连续） （T
c
=25℃）----------------------------------------------------------- 30A
漏电流（连续） （T
c
=100℃）--------------------------------------------------------- 21.2A
I
DM
——
漏电流脉冲----------------------------------------------- ------------------------------- 120A
V
GSS
——
栅源电压---------------------------------------------- ----------------------------
±
20V
P
D
——
最大功率耗散（T
c
=25℃）----------------------------------------------------- 79W
E
AS
——
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ℃ ，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V） ---------------------------------------------- ----- 430毫焦耳
DV / dt-- Reak二极管恢复的dv / dt
（ ISD≤30A ，二/ dt≤300A /我们Vdd≤BVdss ，占空比
≤2%)
------------------------- 7.0V / ns的
█
热特性
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
RTH C-S
项
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大
TO-220
1.9
62.5
0.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
最大
典型值
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
