汕头华汕电子器件有限公司。
N沟道MOSFET
HFP45N06
█ APPLICATIONSL
低压高速开关。
TO-220
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
Temperature……………………………－55~175℃
T
j
■工作
结温
…………………………150℃
P
D
——
允许功耗（T
c
=25℃）………………131W
V
DSS
——
漏源电压
………………………………
60V
V
GSS
——
栅源电压
…………………………………
±
0V
2
I
D
——
漏电流T
c
=25℃）
（
……………………………………45A
1―G
2―D
3―S
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
ON
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Qg
Qg(10)
QGD
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 -
源漏电流
栅极阈值电压
*静态漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启
时间
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
６０
２．０
２０５０
６００
２００
１２
７４
３７
１６
１２５
６７
３．７
１
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
μＡ
V
DS
= 60V，V
GS
=0
±１００ �½�Ａ
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
４．０
V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
０．０２８
１２０
８０
１５０
８０
４．５
１．５
V
GS
= 10V ，我
D
=45A
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
?
V
DS
=25V, V
GS
=0,f=1ＭＨ�½�
V
DD
= 30V ，我
D
=45A
R
L
=0.667Ω, V
GS
=10V
R
G
= 3.6
Ω
下降时间
关
时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
Ｖ
ＧＳ
＝２０Ｖ V
DS
=48V，
Ｄ
＝４５Ａ
Ｉ
Ｖ
ＧＳ
＝１０Ｖ Ｒ
Ｌ
＝1.07
Ω
Ｖ
ＧＳ
＝２Ｖ Ｉ�½�
（ＲＥＦ）
＝１．５�½�Ａ
I
SD
=45A
V
SD
二极管的正向电压
RTH
热阻，
（J -C ）
结到外壳
*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
Ｖ
１．１４
℃／Ｗ
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