汕头华汕电子器件有限公司。
N沟道MOSFET
HFP75N08
█
APPLICATIONSL
低压高速开关。
TO-220
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
Temperature……………………………-55~175℃
T
j
■工作
结温
…………………………150℃
（T
…………………173W
P
D
——
允许功耗
c
=25℃）
V
DSS
——
漏源电压
…………………………………
80V
V
GSS
——
栅源电压
…………………………………
±2
0V
（
……………………………………75A
I
D
——
漏电流T
c
=25℃）
1―G
2―D
3―S
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
Is
V
SD
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅 - 源漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
80
10
2.0
2600
940
210
30
225
165
155
80
15
32
75
1.5
0.87
±100
4.0
0.011 0.014
3380
1220
275
70
460
340
320
105
V
μA
nA
V
Ω
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
= 80V，V
GS
=0
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=37.5A
V
DS
=25V, V
GS
=0,f=1MHz
V
DD
= 40V ，我
D
=75A
R
G
= 25
Ω*
V
DS
=48V
V
GS
=10V
I
D
=50A*
I
S
= 75A ，V
GS
=0
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
连续源电流
A
V
℃/W
二极管的正向电压
热阻，
RTH
（J -C ）
结到外壳
*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
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