汕头华汕电子器件有限公司。
N沟道MOSFET
HFU1N60
█ APPLICATIONSL
高速开关。
TO-251
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
Temperature……………………………－55~150℃
T
j
■工作
结温
…………………………150℃
P
D
——
允许功耗（T
c
=25℃）…………………28W
V
DSS
——
漏源电压
…………………………………
600V
V
GSS
——
栅源电压
…………………………………
±
0V
3
I
D
——
漏电流（T
c
=25℃）……………………………………1A
I
DM
——
漏电流（脉冲） .......................................... 4A
1―G
2―D
3―S
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
Is
V
SD
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 -
源漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
600
2.5
９．３
０．７５
１３０
19
3.5
7
21
13
27
4.8
0.7
2.7
１
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
μＡ
V
DS
=600V，V
GS
=0
±100 �½�Ａ
V
GS
=±30V , V
DS
=0V
4.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
１１．５
１７０
25
4.5
24
52
36
64
6.2
?
S
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=0.5A*
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
=25V, V
GS
=0,f=1ＭＨ�½�
下降时间
总栅极电荷
门“
源电荷
门“
漏极电荷
V
DD
=300V,I
D
=1.1A
R
G
= 25
Ω
*
V
DS
=480V，Ｉ
Ｄ
＝１．１Ａ
Ｖ
ＧＳ
＝１０Ｖ ＊
I
S
= 0.5A ，V
GS
=0
连续源电流
１
１．４
Ａ
Ｖ
二极管的正向电压
热阻，
RTH J- C）
（
结到外壳
*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
４．５３
℃／Ｗ
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