汕头华汕电子器件有限公司。
HJP20100CT
20A高压肖特基整流器BARREIER
█
特点
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费Wheelings
和极性保护应用
1引脚A1
2针ķ
3引脚A2
█
包
TO-220
█
最大额定值
T
英镑
--storage
温度.......................................
-65~150℃
T
j
■工作
Temperature…………………………………-65~150℃
V
RRM
高峰
重复反向电压.............................. 100V
V
RWM
——
工作峰值反向电压........................... 100V
V
R
μΑdc
阻断电压100V ................................................
V
R（ RMS ）
--RMS
反向电压70V .......................................
I
F
（
AV
）
- 面积达
Recified输出电流@ T
c
= 125 ℃ .....................双模具20A
（注1 ）
.....................单
模具10A
I
FSM
--non -重复
峰值正向浪涌电流（单芯片， 60H
Z
）………150A
█
电气Chatacteristic
@T
a
= 25 ℃除非另有规定
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率
符号
V
FM
民
最大
0.75
0.85
0.85
0.95
0.15
150
1000
2.0
10000
单位
V
I
RM
Cj
R
日-J
dv / dt的
mA
pF
℃/W
V / S
条件
I
F
=10A,T
C
=125℃
I
F
=10A,T
C
=25℃
I
F
=20A,T
C
=125℃
I
F
=20A,T
C
=25℃
V
R
= V
RRM
T
C
=25℃
T
C
=125℃
注意事项： 1 ，安装在散热器热阻结到外壳。
2 ，测量4.0V DC应用反向电压为1.0 MHz和
.
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