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HM13003 参数 Datasheet PDF下载

HM13003图片预览
型号: HM13003
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 107 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HM13003的Datasheet PDF文件第2页  
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HM13003
█高压开关模式APPLICICATIONS
高速交换。适用于开关稳压器和Montor控制
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-65 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………40W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………700V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………9V
I——
C
集电极电流1.5A ..........................................
I
B
内部BASE
Curren………………………………………………0.75A
1―Emitter,E
TO-126ML
2
-collector ,C
3
基地B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE1
H
FE2
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
400
10
10
5
0.5
1
3
1
1.2
4
1.1
4.0
0.7
40
V
μA
I
C
= 5毫安,我
B
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
V
V
V
V
V
兆赫
μs
μs
μs
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A
I
C
= 1.5A ,我
B
=0.5A
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A
V
CE
=10V,I
C
=0.1A
V
CC
= 125V ,我
C
=1A,
I
B1
=0.2A,I
B2
=-0.2A
R
L
=125Ω
h
FE
分类
H1
10-16
H2
14-21
H3
19-26
H4
24-31
H5
29-40