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HP102 参数 Datasheet PDF下载

HP102图片预览
型号: HP102
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 161 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HP102的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN达林顿晶体管
HP102
应用
高压switching.Motor驾驶。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 80W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
电压100V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 100V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
目前DC )
…………………………………
8A
I
C
--Collector
Current(Pulse)……………………………15A
………………………………………1A
I
B
内部BASE
目前DC )
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO ( SUS )
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(上)
COB
100
50
50
2
1000
200
20000
2
2.5
2.8
200
V
μA
μA
mA
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CE
= 50V ,我
B
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
V
CE
= 4V ,我
C
=8A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
输出电容
V
V
V
pF
I
C
= 3A ,我
B
=6mA
I
C
= 8A ,我
B
=80mA
V
CE
=4V,I
C
=8A,
V
CB
= 10V ,我
E
=0,
f=0.1MHz