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HP107 参数 Datasheet PDF下载

HP107图片预览
型号: HP107
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 147 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HP107的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
PNP达林顿晶体管
HP107
应用
高压switching.Motor驾驶。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
—��Storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 80W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
电压.............................. -100V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... -100V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压-5V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... -8A
I
C
--Collector
Current(Pulse)……………………………-15A
(DC)的
………………………………………-1A
I
B
内部BASE
当前
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO ( SUS )
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(上)
COB
-100
-50
-50
-2
1000
200
20000
-2
-2.5
-2.8
300
V
μA
μA
mA
I
C
= -30mA ,我
B
=0
V
CE
= -50V ,我
B
=0
V
CB
= -100V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -4V ,我
C
=-3A
V
CE
= -4V ,我
C
=-8A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
输出电容
V
V
V
pF
I
C
= -3A ,我
B
=-6mA
I
C
= -8A ,我
B
=-80mA
V
CE
=-4V,I
C
=-8A,
V
CB
= -10V ,我
E
=0,
f=0.1MHz