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HP31B 参数 Datasheet PDF下载

HP31B图片预览
型号: HP31B
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 139 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HP31B的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HP31B
应用
Mediu�½� Power Linear switching Applications.
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ )
……………………………40W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………80V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current(DC)………………………………………3A
I
C
--Collector
Current(Pulse)……………………………………5A
IB - 基极电流1A ......................................................
TO-220
1―Base,B
2―Collector,
C
3―Emitter,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
BV
首席执行官
特征
集电极 - 发射极击穿电压
80
25
10
50
1.2
1.8
0.3
200
1
3.0
V
V
mA
μA
mA
兆赫
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
C
=30mA,
I
B
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=1A
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
I
C
= 3A ,我
B
=375mA
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
V
CB
= 60V ,我
B
=0
V
CE
=80V, V
EB
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA,f=1MHz
H
FE(1)
*直流电流增益
H
FE(2)
*直流电流增益
V
CE ( SAT )
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
f
T
*集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
电流增益带宽积
V
BE(上)
*基射极电压上
*
脉冲测试: PW≤300μs ,职务
cycle≤2%