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HP32B 参数 Datasheet PDF下载

HP32B图片预览
型号: HP32B
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 140 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HP32B的Datasheet PDF文件第2页  
PNP S I L I C 0 NT· R一种S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HP32B
应用
Mediu�½� Power Linear switching Applications.
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ )
……………………………40W
P
C
--Collector
Dissipation(Ta=25℃)……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-80V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
��—Collector
目前DC )
………………………………………-3A
I
C
--Collector
Current(Pulse)……………………………………-5A
IB - 基极电流...................................................... -1A
TO-220
1―Base,B
2―Collector,
C
3―Emitter,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
BV
首席执行官
特征
集电极 - 发射极击穿电压
-80
25
10
50
-1.2
-1.8
-0.3
-200
-1
3.0
V
V
mA
μA
mA
兆赫
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
C
=-30mA,
I
B
=0
V
CE
= -4V ,我
C
=-1A
V
CE
= -4V ,我
C
=-3A
I
C
= -3A ,我
B
=-375mA
V
CE
= -4V ,我
C
=-3A
V
CB
= -60V ,我
B
=0
V
CE
=-80V, V
EB
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-500mA,
f=1MHz
H
FE(1)
*直流电流增益
H
FE(2)
*直流电流增益
V
CE ( SAT )
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
f
T
*集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
电流增益带宽积
V
BE(上)
*基射极电压上
*
脉冲测试: PW≤300μs ,职务
cycle≤2%