汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 N晶体管
HP50
ⅳ.APPLICATIONS ：
高电压和开关。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
－65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 40W
V
CBO
--Collector -基地
电压500V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 400V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
目前DC ）
（
……���…………………………
1A
I
C
--Collector
Current（Pulse）………………………………2A
I
B
内部BASE
Current…………………………………………0.6A
TO-220
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
H
FE（2）
H
FE
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射基截止电流
４００
２２
１０
２０
１０
１
１
１
１５０
１
１．５
Ｖ
I
C
= 30mA时我
B
=0
�½�Ａ
V
CE
= 300V ，我
B
=0
�½�Ａ
V
EB
= 5V ，我
C
=0
�½�Ａ
V
CE
=500V, V
EB
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=0.3A
Ｖ
Ｖ
V
CE
= 10V ，我
C
=1A
V
CE
= 10V ，我
C
=0.2A,f=1ＭＨ�½�
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
V
CE
= 10V ，我
C
=1A
集电极截止电流
H
FE（1）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
f
T
Ｒ
θＪＣ
Ｒ
θＪＡ
基射极电压上
电流增益带宽积
ＭＨ�½�
V
CE
=10V,I
C
=0.1A,f=2ＭＨ�½�
３．１２５
℃／Ｗ
６２．５
℃／Ｗ
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