NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
在H945是专为AF放大器的驱动级
和低速切换。
HS945
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………250mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
150mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3-收藏家，C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
６０
５０
５
７０
７００
０．３
１．０
１００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
�½�Ａ
I
C
=100μA,
I
C
=100μA,
I
E
=0
I
B
=0
直流电流增益
I
E
=100μA，I
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=10mA
V
CB
= 6V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
Ｖ
ＣＥ
＝６Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝０．５�½�Ａ，�½�＝１ＫＨ�½�，
Ｒ�½�＝５００Ω
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
NF
集电极截止电流
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
１００ �½�Ａ
３００
ＭＨ�½�
２．５
�½�Ｆ
４．０
�½�Ｂ
█
h
FE
分类
O
Y
１２０—２４０
GR
２００—４００
BL
３５０—７００
７０—１４０
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
