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HSBD138图片预览
型号: HSBD138
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 121 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD138
■应用
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 12.5W
P
C
--Collector
耗散(T
A
=25℃)…………………… 1.25W
V
CBO
--Collector -基地
电压-60V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -60V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
I
C
--Collector
当前
(脉冲)
…………………………………
-3A
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... -1.5A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………-0.5A
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE(
SAT
)
V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
-60
特征
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
25
25
40
250
-0.5
-1.0
V
V
典型值
最大
-0.1
-10
单位
μA
μA
测试条件
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
=-5mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
V
CE
= -2V ,我
C
=-150mA
IC = -500mA ,我
B
=-50mA
IC = -0.5A ,V
CE
=-2V
Ic=-30mA,I
B
=0
█h
FE(3)
分类
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
h
FE(3)