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HSBD139 参数 Datasheet PDF下载

HSBD139图片预览
型号: HSBD139
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 62 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HSBD139的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN硅TRANSIST或
HSBD139
应用
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 12.5W
P
C
--Collector
耗散(T
A
=25℃)…………………… 1.25W
V
CBO
--Collector -基地
电压80V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压80V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压5V
I
C
--Collector
电流脉冲)
…………………………………
3A
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 1.5A
I
B
内部BASE
Current………………………………………………0.5A
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE(
SAT
)
V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
80
特征
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
25
25
40
250
0.5
1.0
V
V
典型值
最大
0.1
10
单位
μA
μA
测试条件
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=5mA
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=150mA
IC = 500毫安,我
B
=50mA
IC = 0.5A ,V
CE
=2V
Ic=30mA,I
B
=0
█h
FE(3)
分类
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
h
FE(3)