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HSBD179图片预览
型号: HSBD179
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 125 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN硅晶体管
HSBD179
■应用
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 30W
V
CBO
--Collector -基地
电压80V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压80V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压5V
I
C
--Collector
电流脉冲)
…………………………………
7A
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 3A
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
*H
FE(1)
*H
FE(2)
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
f
t
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
电流增益带宽积
80
3
40
15
100
1
250
0.8
1.3
μA
mA
V
CB
= 80V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=150mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
V
V
V
兆赫
I
C
= 1A ,我
B
=0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
I
C
= 100mA时我
B
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=250mA,
*脉冲测试: PW = 350μS ,占空比= 1.5 %脉冲
█h
FE(3)
分类
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
h
FE(3)