汕头华汕电子器件有限公司。
PNP硅TRANSIST或
HSBD238
█
应用
中功率线性开关应用
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 25W
V
CBO
--Collector -基地
电压100V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -80V
V
CER
--Collector发射极
电压.............................. -100V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
I
C
--Collector
当前
（脉冲）
…………………………………
-6A
I
C
--Collector
直流（DC） .................................... -2A
1―
发射器，E
2―Collector，C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*h
FE(2)
*V
CE（
SAT
)
*V
BE（上）
V
CEO （ SUS ）
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
-80
3
兆赫
特征
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
40
25
-0.6
-1.3
V
V
民
典型值
最大
-100
-1
单位
μA
mA
测试条件
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-150mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-1A
IC = -1A ，我
B
=-0.1A
IC = -1A ，V
CE
=-2V
Ic=-100mA,I
B
=0
IC = -250mA ，V
CE
=-10V
电流增益带宽积
*
脉冲测试： PW = 350μS ，占空比Cycle≤1.5 ％脉冲
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