欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HSBD234 参数 Datasheet PDF下载

HSBD234图片预览
型号: HSBD234
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 120 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD234
■应用
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 25W
V
CBO
--Collector -基地
电压................................. -45V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -45V
V
CER
--Collector发射极
电压.............................. -45V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
I
C
--Collector
当前
(脉冲)
…………………………………
-6A
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... -2A
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
特征
典型值
最大
单位
测试条件
符号
I
CBO
I
EBO
*H
FE(1)
*H
FE(2)
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
f
t
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
电流增益带宽积
-45
3
40
25
-100
-1
μA
mA
V
CB
= -45V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
-0.6
-1.3
V
V
V
兆赫
I
C
= -1A ,我
B
=-0.1A
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
I
C
= -100mA ,我
B
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-250mA,
*
脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲