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HSBD375图片预览
型号: HSBD375
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 235 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD375
█ APPLICATIONS
中功率线性开关应用
 
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 25W
V
CBO
--Collector -基地
电压50V .................................
V
首席执行官
——
集电极 - 发射极电压45V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压5V
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
 
I
C
--Collector
电流脉冲) ....................................... 3A
 
C
I
--Collector
目前DC )
……………………………………
2A
IB - 基极电流1A ......................................................
 
ⅵELECTRICAL
特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
 
 
40 
20 
 
 
45 
50 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 
500 
2 
375 
 
1 
1.5 
 
 
 
 
μA 
V
CB
= 45V ,我
E
=0
 
 
V 
V 
V 
V 
�½�S 
�½�S 
V
CE
= 2V ,我
C
=150mA 
V
CE
= 2V ,我
C
=1A 
I
C
= 1A ,我
B
=0.1A 
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
I
C
= 100mA时我
B
=0
I
C
= 100μA ,我
E
=0
V
CC
= 30V ,我
C
=0.5A
I
B1
=-I
B2
=0.05A
100  μA 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
*H
FE(1)
 
直流电流增益
*H
FE(2)
 
直流电流增益
*V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
BV
CBO
t
ON
t
关闭
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
开启时间
打开-O FF时间
* P�½��½��½��½� T�½��½��½�:PW=350μS,D�½��½��½� C�½��½��½��½�=2% P�½��½��½��½��½�
█h
FE(3)
分类
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
25
150~375
h
FE(3)