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HSBD376图片预览
型号: HSBD376
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 235 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD376
█ APPLICATIONS
中功率线性开关应用
 
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 25W
V
CBO
--Collector -基地
电压-50V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -45V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
 
I
C
--Collector
当前
(脉冲)
…………………………………
-3A
 
C
I
--Collector
直流(DC) ....................................... -2A
IB - 基极电流...................................................... -1A
 
ⅵELECTRICAL
特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
 
 
40 
20 
 
 
-45 
-50 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
50 
500 
-2 
375 
 
-1 
-1.5 
 
 
 
 
μA 
V
CB
= -45V ,我
E
=0
 
 
V 
V 
V 
V 
�½�S 
�½�S 
V
CE
= -2V ,我
C
=-150mA 
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A 
I
C
= -1A ,我
B
=-0.1A 
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
I
C
= -100mA ,我
B
=0
I
C
= -100μA ,我
E
=0
V
CC
= -30V ,我
C
=-0.5A
I
B1
=-I
B2
=-0.05A
-100  μA 
V
EB
= -5V ,我
C
=0
*H
FE(1)
 
直流电流增益
*H
FE(2)
 
直流电流增益
*V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
BV
CBO
t
ON
t
关闭
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
开启时间
打开-O FF时间
* P�½��½��½��½� T�½��½��½�:PW=350μS,D�½��½��½� C�½��½��½��½�=2% P�½��½��½��½��½�
█h
FE(3)
分类
Cassification
6
40~100
10
63~160
16
100~250
25
150~375
h
FE(3)