汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD435
■应用
中功率线性开关应用
█
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 36W
V
CBO
--Collector -基地
电压................................. 32V
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压32V
V
CES
--Collector发射极
..............................电压32V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压5V
I
C
--Collector
电流脉冲)
(
…………………………………
7A
I
C
--Collector
目前DC )
(
……………………………………
4A
I
B
内部BASE
Current………………………………………………1A
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
█
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
*H
FE(1)
*H
FE(2)
*H
FE(3)
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
f
t
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
电流增益带宽积
32
3
40
85
50
0.2
130
140
100
1
μA
mA
V
CB
= 32V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
V
CE
= 1V ,我
C
=2A
0.5
1.1
V
V
V
兆赫
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 1V ,我
C
=2A
I
C
= 100mA时我
B
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=250mA,
*
脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲