汕头华汕电子器件有限公司。
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD442
2，用途
中功率线性开关应用
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
－55~150℃
T
j
——J
恩膏温度.................................... 150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 36W
V
CBO
--Collector -基地
电压................................. -80V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -80V
V
CES
--Collector发射极
电压.............................. -80V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
1―
发射器，E
2―Collector，C
3―Base，B
I
C
--Collector
当前
（脉冲）
…………………………………
-7A
C
--Collector
直流（DC） .......................................
I
-4A
I
B
内部BASE
Current………………………………………………-1A
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
I
CES
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
１５
４０
１５
－８０
３
１４０
１４０
－０．５８
－１００ μＡ
V
CB
= -80V ，我
E
=0
－１
－０．８
－１．５
�½�Ａ
V
EB
= -5V ，我
C
=0
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-2A
I
C
= -2A ，我
B
=-0.2A
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-2A
I
C
= -100mA ，我
B
=0
－１００ μＡ
V
CE
=-80V, V
EB
=0
*H
FE（1）
直流电流增益
*H
FE（2）
直流电流增益
*H
FE（3）
直流电流增益
*V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
*V
BE(on1)
*V
BE(on2)
V
CEO （ SUS ）
f
t
基射极电压上
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
电流增益带宽积
ＭＨ�½�
V
CE
= -1V ，我
C
=-250mA,
* Ｐ�½��½��½��½� Ｔ�½��½��½�：ＰＷ＝３００μＳ，Ｄ�½��½��½� Ｃ�½��½��½��½�＝１．５％ Ｐ�½��½��½��½��½�
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
