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HSBD434 参数 Datasheet PDF下载

HSBD434图片预览
型号: HSBD434
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 234 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD434
2,用途
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 36W
V
CBO
--Collector -基地
电压................................. -22V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -22V
V
CES
--Collector发射极
电压.............................. -22V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压-5V
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
 
I
C
--Collector
当前
(脉冲)
…………………………………
-7A
 
C
--Collector
直流(DC) .......................................
I
-4A
I
 
B
内部BASE
Current………………………………………………-1A
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
CBO
I
EBO
I
CES
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
 
 
 
40 
85 
50 
 
 
-22 
3 
 
 
 
140 
140 
 
 
 
 
-100  μA 
V
CB
= -22V ,我
E
=0
-1 
 
 
 
-1.1 
 
 
�½�A 
V
EB
= -5V ,我
C
=0
 
 
 
V 
V 
V 
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA 
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA 
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A 
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A 
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A
I
C
= -100mA ,我
B
=0
-100  μA 
V
CE
=-22V, V
EB
=0
*H
FE(1)
 
直流电流增益
*H
FE(2)
 
直流电流增益
*H
FE(3)
 
直流电流增益
*V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
*V
BE(上)
V
CEO ( SUS )
f
t
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
电流增益带宽积
-0.2  -0.5 
MH�½� 
V
CE
= -1V ,我
C
=-250mA,
* P�½��½��½��½� T�½��½��½�:PW=300μS,D�½��½��½� C�½��½��½��½�=1.5% P�½��½��½��½��½�