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HSBD441 参数 Datasheet PDF下载

HSBD441图片预览
型号: HSBD441
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 234 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSBD441
2,用途
中功率线性开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
——J
恩膏温度.................................... 150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 36W
V
CBO
--Collector -基地
电压80V .................................
V
首席执行官
——
集电极 - 发射极电压80V ..............................
V
CES
--Collector发射极
电压
…………………………
80V
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压5V
1―
发射器,E
2―Collector,C
3―Base,B
 
I
C
--Collector
电流脉冲) ....................................... 7A
 
C
--Collector
目前DC )
I
……………………………………
4A
I
 
B
内部BASE
Current………………………………………………1A
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
I
CBO
I
EBO
I
CES
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
 
 
 
15 
40 
15 
 
 
 
80 
3 
 
 
 
130 
140 
 
 
0.58 
 
 
 
100  μA 
V
CB
= 80V ,我
E
=0
1 
 
 
 
0.8 
 
1.5 
 
 
�½�A 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
 
 
 
V 
V 
V 
V 
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA 
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA 
V
CE
= 1V ,我
C
=2A 
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A 
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=2A
I
C
= 100mA时我
B
=0
100  μA 
V
CE
=80V, V
EB
=0
*H
FE(1)
 
直流电流增益
*H
FE(2)
 
直流电流增益
*H
FE(3)
 
直流电流增益
*V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
*V
BE(on1)
*V
BE(on2)
V
CEO ( SUS )
f
t
基射极电压上
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
电流增益带宽积
MH�½� 
V
CE
= 1V ,我
C
=250mA,
* P�½��½��½��½� T�½��½��½�:PW=300μS,D�½��½��½� C�½��½��½��½�=1.5% P�½��½��½��½��½�