欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HSC2621 参数 Datasheet PDF下载

HSC2621图片预览
型号: HSC2621
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 102 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HSC2621
应用
彩电色度输出
应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 10W
P
C
--Collector
耗散1.2W ....................................
V
CBO
--Collector -基地
电压300V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 300V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………6.5V
I
C
--Collector
Current……………………………………200mA
I
CP
--Collector
Current(Pulse)…………………………700mA
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
t
COB
1.0
1.0
40
200
0.6
1.0
50
5
μA
μA
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
V
CE
= 30V ,我
C
=10mA,
V
CB
= 50V , F = 1MHz的
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
输出电容
h
FE
分类
C
40—80
D
60—120
E
100—200