汕头华汕电子器件有限公司。
HTN2A60
非绝缘型双向可控硅（ TO- 126封装）
█
特点
*重复峰值断态电压： 600V
* R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
=2A)
*高换向dv / dt的
█
概述
三端双向可控硅HTN2A60适用于交流开关应用，相
控制应用，如加热器控制，马达控制，照明控制，
和静态开关继电器。
█
绝对最大额定值
（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度...........................................................................
T
j
■工作
结温
……………………………………………………
-
40~125℃
-
40~125℃
P
GM
高峰
门功耗1.0W ........................................................................
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压600V ..................................................................
I
T
（
RMS
） - R.M.S
通态电流（ TA = 66 ℃ ） ...................................................... 1.5A
V
克间
高峰
栅极电压6.0V ........................................................................
I
GM
——
栅极峰值电流
…………………………………………………………
0.5A
I
TSM
■浪涌
通态电流（一个周期， 50 / 60赫兹，峰值，非重复性） ......... 13 / 15A
█
电气特性
（T
a
=25℃）
符号
I
DRM
项
重复峰值断态电流
峰值通态电压
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
非触发栅极电压
崛起的断态临界速率
电压整流
保持电流
热阻
0.2
5.0
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
单位
mA
条件
V
D
=V
DRM
，单
相，
V
TM
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
V+
GT1
V-
GT1
V-
GT3
V
GD
（ dv / dt的）C
1.6
20
20
20
1.5
1.5
1.5
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V / μs的
半波，T
J
=125℃
I
T
= 2.1A ，研究所。
测量
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
T
J
=125℃,V
D
=1/2V
DRM
T
J
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
（ di / dt的）C =
-
0.75A/ms
I
H
RTH （J -C ）
5.0
6.25
mA
℃/W
结到外壳
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