NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
适用于低电压大电流的驱动程序。
HX128M
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………20V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………15V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6.5V
I
C
--Collector
当前.......................................... 1 。 5A
TO-92S
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
罗恩
２０
１５
６．５
１５０
２６０
５
０．６
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= 50μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=50μA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
直流电流增益
集电极截止电流
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
０．２ ０．３
０．１ μA
V
CB
= 20V ，我
E
=0
０．１ μA
V
EB
= 6V ，我
C
=0
ＭＨ�½�
�½�Ｆ
Ω
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
Ｖ
ＩＮ
＝０．３Ｖ，�½�＝１ＫＨ�½�，I
B
=1mA
输出电容
抗性
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
