欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HX2785 参数 Datasheet PDF下载

HX2785图片预览
型号: HX2785
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 242 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
放大器和高速开关
HX2785
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………250mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
100mA
TO-92S
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
50 
 
 
50 
110 
 
 
 
 
 
185 
200 
0.86 
 
V 
I
C
= 1mA时,我
B
=0 
辐射源
截止电流
0.1  μA 
V
CB
= 60V ,我
E
=0
0.1  μA 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
 
600 
1 
 
 
V 
V 
V
CE
= 6V ,我
C
=0.1mA 
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA 
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
 
I
C
= 100mA时我
B
=10mA 
H
FE(1)
 
直流电流增益
H
FE(2)
 
直流电流增益
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
 
基射极饱和电压
V
BE
 
f
T
COB
 
基射极电压
电流增益带宽积
0.15  0.3 
输出电容
0.55  0.62  0.65  V 
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA 
150  250  450  MH�½� 
V
CE
= 6V ,我
C
=10mA
 
3 
4 
�½�F 
V
CB
= 6V ,我
E
=0,f=1MH�½�
h
FE
分类
R
110—180   
J
135—220   
H
170—270   
F
200—320   
E
250—400   
K
300—600