PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
电机驱动器。
HX789A
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
耗散
…………………………………1.5W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-25V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-25V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-3A
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
－２５
－２５
－５
２５０
１００
２５
－０．１
－０．１
４９０
－０．２５
－０．４５
－０．５
－１．０
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｉ
Ｃ
＝－１００μＡ，Ｉ
Ｅ
＝０
Ｉ
Ｃ
＝－１０�½�Ａ，Ｉ
Ｂ
＝０
Ｉ
Ｅ
＝－１００μＡ，Ｉ
Ｃ
＝０
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
μＡ Ｖ
ＣＢ
＝－１５Ｖ， Ｉ
Ｅ
＝０
μＡ Ｖ
ＥＢ
＝－４Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝０
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
�½�Ｆ
Ｖ
ＣＥ
＝－２Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ
Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ， Ｉ
Ｂ
＝－１０�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝－２Ａ， Ｉ
Ｂ
＝－２０�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝－３Ａ， Ｉ
Ｂ
＝－１００�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ， Ｉ
Ｂ
＝－１０�½�Ａ
Ｖ
ＣＥ
＝－２Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝－１Ａ
Ｖ
ＣＢ
＝－１０Ｖ，Ｉ
Ｅ
＝０，�½�＝１ＭＨ�½�
V
CE(sat1)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
V
CE(sat3)
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
V
BE（上）
f
T
COB
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
－０．８
ＭＨ�½� Ｖ
ＣＥ
＝－５Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝－５０�½�Ａ，
�½�＝５０ＭＨ�½�
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
