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KSH13007W 参数 Datasheet PDF下载

KSH13007W图片预览
型号: KSH13007W
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 149 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
KSH13007W
TO-263(D2PAK)
█高压开关模式的应用程序
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 80W
V
CBO
--Collector -基地
电压700V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压400V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压9V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 8A
I
C
--Collector
电流(脉冲) ................................. 16A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………4A
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
█ 电参数
(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
发射基截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
CE(sat3)
V
BE (
sat1
)
V
BE (
sat2
)
COB
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
400
1
10
5
40
30
1
2
3
V
mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=2A
V
CE
= 5V ,我
C
=5A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
V
V
V
V
pF
I
C
= 2A ,我
B
=400mA
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 8A ,我
B
=2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
I
C
= 5A ,我
B
=1A
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz ž
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA
基地 - 发射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
4
110
1.2
1.6
1.6
3
0.7
uS
uS
uS
Vcc=125V,Ic=5A
I
B1
=I
B2
=1A
h
FE
分类
H1
10—16
H2
14—21
H3
19—26
H4
24—31
H5
29—40