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KSH13009W 参数 Datasheet PDF下载

KSH13009W图片预览
型号: KSH13009W
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 143 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
KSH13009W
█高压开关模式APPLICICATIONS
高速开关
适用于开关稳压器和Montor控制
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散T
c
=25℃)
……………………
100W
V
CBO
--Collector -基地
电压700V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压400V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压9V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 12A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………6A
TO-263(D2PAK)
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
COB
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
400
1
8
6
40
30
1
1.5
3
V
mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=5A
V
CE
= 5V ,我
C
=8A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
V
V
V
V
pF
兆赫
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 8A ,我
B
=1.6A
I
C
= 12A ,我
B
=3A
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 8A ,我
B
=1.6A
V
CB
=10V,f=0.1MHz
V
CE
=10V
,I
C
=0.5A
基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
4
180
1.2
1.6
1.1
3
0.7
μs
μs
μs
V
CC
= 125V ,我
C
=8A,
I
B1
=1.6A,I
B2
=-1.6A