欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

KSH13007 参数 Datasheet PDF下载

KSH13007图片预览
型号: KSH13007
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 248 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
ñ PN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
KSH13007
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION 
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 80W
V
CBO
--Collector -基地
电压700V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压400V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压9V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 8A
I
C
--Collector
电流(脉冲) ................................. 16A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………4A
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
█ 电参数
(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 发射极电压维持
发射基截止电流
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
首席执行官
I
EBO
 
H
FE(1)
 
H
FE(2)
400 
 
10 
5 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
110 
 
 
 
 
��
1 
40 
30 
1 
2 
3 
1.2 
1.6 
 
 
1.6 
3 
0.7 
V 
�½�A 
 
 
V 
V 
V 
V 
V 
�½�F 
 
�½�S 
�½�S 
�½�S 
I
C
= 10毫安,我
B
=0 
V
EB
= 9V ,我
C
=0 
V
CE
= 5V ,我
C
=2A 
V
CE
= 5V ,我
C
=5A
I
C
= 2A ,我
B
=400mA 
I
C
= 5A ,我
B
=1A
I
C
= 8A ,我
B
=2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A 
I
C
= 5A ,我
B
=1A 
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz ž
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA
 
Vcc=125V,Ic=5A
I
B1
=I
B2
=1A
直流电流增益
V
CE(sat1)
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
V
CE(sat3)
V
BE (
sat1
)
 
V
BE (
sat2
)
COB
f
T
 
t
ON
t
英镑
t
F
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
基地 - 发射极饱和电压
 
 
 
4 
 
 
 
h
FE
分类
H1
10—16
H2
14—21
H3
19—26
H4
24—31
H5
29—40