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KSH13003 参数 Datasheet PDF下载

KSH13003图片预览
型号: KSH13003
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 254 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号KSH13003的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATIONS
高速交换。适用于开关稳压器和Montor控制
KSH13003
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-65 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………40W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………700V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
E B Ø
——
发射极 - 基极电压.................................... 9 V
I——
C
集电极电流.......................................... 1 。 5 A
I
B
内部BASE
Curren………………………………………………0.75A
1―Base,B
-collector ,C
发射器,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极截止电流
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE1
H
FE2
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
 
t
ON
 
t
英镑
 
t
F
400 
 
10 
5 
 
 
 
 
 
4 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10 
40 
 
0.5 
1 
3 
1 
1.2 
 
V 
 
 
V 
V 
V 
V 
V 
I
C
= 5毫安,我
B
=0 
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A
I
C
= 1.5A ,我
B
=0.5A
I
C
= 0.5A ,我
B
=0.1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.25A
μA 
V
EB
= 9V ,我
C
=0
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
MH�½� 
V
CE
=10V,I
C
=0.1A
 
V
CC
= 125V ,我
C
=1A, 
1.1  μs 
4.0  μs 
0.7  μs 
I
B1
=0.2A,I
B2
=-0.2A 
R
L
=125Ω
h
FE
分类
H1
10-16
H2
14-21
H3
19-26
H4
24-31
H5
29-40