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型号: HVV0912-150-EK
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内容描述: L波段航空电子脉冲功率晶体管960-1215兆赫, 10μs的脉冲, 10 %占空比的地面和空中DME , TCAS和IFF应用 [L-Band Avionics Pulsed Power Transistor 960-1215 MHz, 10μs Pulse, 10% Duty Cycle For Ground and Air DME, TCAS and IFF Applications]
分类和应用: 晶体晶体管脉冲电子航空
文件页数/大小: 5 页 / 864 K
品牌: HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
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创新的半导体公司!
HVV0912-150高电压,高耐用性
TM
L波段航空电子脉冲功率晶体管
960-1215兆赫,为10μs脉冲,占空比为10%
对于地面和空中DME , TCAS和IFF应用
特点
• MOSFET硅技术
•操作从24V到50V
•高功率增益
•超强的坚固
•内部输入和输出匹配
•优良的热稳定性
•所有金键合方案
典型性能
高电压垂直的技术非常适用于在高功率脉冲的应用
L波段,包括G- DME , A- DME ,敌我识别, TCAS与S模式的应用程序。
模式
CLASS AB
频率
(兆赫)
VDD
(V)
IDQ
(MA )
动力
(W)
收益
( dB)的
效率
(%)
IRL
( dB)的
VSWR
20:1
1215
50
50
150
20
43
-5
表1:
在25℃温度下,在宽带文本夹具典型的RF性能
脉冲宽度为10μs =和脉冲周期= 100μs的射频脉冲条件。
描述
高功率HVV0912-150设备设计的增强型射频MOSFET功率晶体管
对于脉冲应用在L波段的960MHz至1215MHz 。高压HVVFET ™技术
生产超过脉冲的输出功率150W ,同时提供高增益,高效率,以及易于匹配的
与50 V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
指定要承受20 :在全额定输出功率1 VSWR所有相位角..
订购信息
设备型号: HVV0912-150
演示套件型号: HVV0912-150 -EK
可通过理察森电子( http://rfwireless.rell.com/ )
HVVi半导体公司
10235 S.第51街100套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
ISO 9001:2000认证
联系电话: ( 866 ) 429 - HVVi ( 4884 ) ,或浏览www.hvvi.com
©2008 HVVi半导体, Inc.保留所有权利。
EG-01-DS11A
12/11/08
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