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HVV1011-300 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HVV1011-300
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内容描述: L波段航空电子脉冲功率晶体管一千零九十〇分之一千零三十○兆赫, 50μs的脉冲, 5 %的税TCAS , IFF和S模式的应用 [L-Band Avionics Pulsed Power Transistor 1030/1090 MHz, 50μs Pulse, 5% Duty For TCAS, IFF and Mode-S Applications]
分类和应用: 晶体晶体管脉冲电子航空
文件页数/大小: 5 页 / 874 K
品牌: HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
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创新的半导体公司!
HVV1011-300高电压,高耐用性
TM
L波段航空电子脉冲功率晶体管
一千○九十分之一千○三十〇兆赫, 50μs的脉冲, 5 %税
对于TCAS , IFF和S模式的应用
特点
• MOSFET硅技术
•操作从24V到50V
•高功率增益
•超强的坚固
•内部输入和输出匹配
•优良的热稳定性
•所有金键合方案
典型性能
高电压垂直的技术非常适用于在高功率脉冲的应用
L波段,包括IFF , TCAS与S模式的应用程序。
模式
CLASS AB
频率
(兆赫)
VDD
(V)
IDQ
(MA )
动力
(W)
收益
( dB)的
(%)
η
IRL
( dB)的
VSWR
20:1
1400
50
100
120
20
45
-8
表1:
在25℃温度下,在宽带文本夹具典型的RF性能
脉冲宽度= 50μs的脉冲周期为1ms的射频脉冲条件。
描述
高功率HVV1011-300设备是专为增强型射频MOSFET功率晶体管
脉冲应用在L波段,从1030MHz到1090MHz本。高压HVVFET ™技术
生产超过脉冲的输出功率为300W ,同时提供高增益,高效率,以及易于匹配的
与50 V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
指定要承受20 :在全额定输出功率1 VSWR所有相位角。
订购信息
设备型号: HVV1011-300
演示套件型号: HVV1011-300 -EK
可通过理察森电子( http://rfwireless.rell.com/ )
HVVi半导体公司
10235 S.第51街100套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
ISO 9001:2000认证
联系电话: ( 866 ) 429 - HVVi ( 4884 ) ,或浏览www.hvvi.com
©2008 HVVi半导体, Inc.保留所有权利。
EG-01-DS02A
12/11/08
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