HVV1012-100
HVV1012-100
L波段航空电子脉冲功率晶体管
HVV1012-100
创新的半导体公司！
兆赫， 10μs的脉冲， 1 ％关税
L波段航空电子脉冲功率晶体管
1025-1150
L波段航空电子脉冲功率
税
HVV1012-100
1125至50年兆赫， 10μs的脉冲， 1 ％
晶体管
1125至50年兆赫，为10μs
功率晶体管
HVV1012-100产品概述
L波段航空电子脉冲
脉冲， 1 ％关税
1125至50年兆赫， 10μs的脉冲， 1 ％关税
TM
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
MHz至1150
的频率范围内
特点
兆赫。
从1025MHz到1150MHz 。
特点
功率增益
•
高
•
优秀
特点
•
特点
GainRuggedness
高功率
Pr
礼
m
热特性
热特性
热特性
热
参数
特征
符号
最大
热
热阻
特征
1
0.14
单位
° C / W
符号
JC
参数
最大
符号参数
最大
单位
单位
1
1
热阻
JC
符号
热阻
0.14
参数
最大
单位
0.14
° C / W
° C / W
JC
1
热阻
0.14
° C / W
JC
单位
V
符号参数
价值
单位
栅源电压
10 V
V
V
DSS
V
GS
漏源电压105
V
DSS
漏源电压105
V
A
I
DSX
漏极电压
8
V
GS
符号参数
栅极 - 源极电流
10
价值
V
单位
V
GS
D
栅源电压
V
DSS
漏CurrentDissipation
95
1250
V
W
漏源电压
10
105
A
P
动力
I
DSX
8
I
V
GS
S
漏电流
电压
8
栅极 - 源
10
DSX
t电源耗散
存储温度-65W
V
°C
to
A
P
D
1250
P
D
动力
当前
1250
W
I
DSX
漏
耗散
8
A
T
S
存储温度-65 〜+ 200
°C
2
P
功耗
1250
T
S
D
T
J
存储温度-65
200
W
°C
to
°C
连接点
+200
T
S
储存温度
+200
-65〜
°C
温度
T
J
连接点
200
°C
+200
T
J
连接点
200
°C
温度
T
J
连接点
200
°C
温度
温度
条件
典型值
单位
3mA
V
漏源击穿条件
VGS=0V,ID=1mA
110
符号
BR （ DSS ）
典型值
102
单位：V
符号
参数
参数
条件
典型值
单位
I
漏击穿
VGS=0V,VDS=48V
符号
汲极SourceLeakage当前VGS = 0V ， ID = 1毫安
参数
条件
典型值
<10
V
V
BR （ DSS ） DSS
110
<80
V
单位
µA
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
110
I
GSS
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
110
V
I
DSS
I
V
BR （ DSS ）
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10 <1 μA
µA
µA
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
DSS
G
功率增益
当前
P
OUT
= 100W ， F = 1025,1150MHz <1
<1
20.5µA
µA
dB
I
DSS
P1
漏
漏电流
泄漏
VGS=0V,VDS=48V
<10
µA
I
GSS
I
GSS
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
门
VGS=5V,VDS=0V
1
I
GSS
1
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
<1
µA
IRL
输入回波损耗
P
OUT
= 100W ， F = 1025,1150MHz 20.5 11分贝
dB
dB
1
G
P
G
P
1
功率增益
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
功率增益
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
20.5
1
G
P
功率增益
P
OUT
P
OUT
= 100W ， F = 1025,1150MHz 11
=100W,F=1025,1150MHz
20.5
50分贝
dB
漏损失
IRL
1
IRL
1
D
输入反射效率
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
输入回波损耗
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
11
dB
%
1
1
1
IRL
输入反射
P
OUT
P
OUT
= 100W ， F = 1025,1150MHz 50
=100W,F=1025,1150MHz
11
<0.3
dB
1
PD
脉冲下垂
漏EF网络效率
损失
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
%
%
dB
漏EF网络效率
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
50
D
D
1
漏EF网络效率
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
50
%
D
PD
1
PD
1
1
脉冲下垂
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
<0.3
dB
dB
脉冲下垂
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
<0.3
PD
在脉冲条件：脉冲宽度=
P
OUT
=100W,F=1025,1150MHz
在1％的
<0.3
= 48V ， IDQ = 50毫安
脉冲下垂
dB
10微秒，脉冲占空比=
VDD
1
1.)
电气特性
电气特性
电气特性
符号
参数
电气特性
电气特性
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比= 1当VDD = 48V ％ ， IDQ = 50毫安
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比= 1当VDD = 48V ％ ， IDQ = 50毫安
2
额定在T
例
= 25°
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比= 1当VDD = 48V ％ ， IDQ = 50毫安
在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 1 ％ ， IDQ = 50毫安
in
评级
绝对最大额定值
绝对
参数
最大额定值
符号
价值
绝对最大
电压105
V参数
漏源
评级
单位
绝对最大额定值
符号
DSS
价值
•
•
48V电源电压
•
•
高
耐用性
优秀
功率增益
•
48V
优秀
收益
高功率
耐用性
•
•
电源电压
高功率增益
•
•
•
48V电源电压
出色的耐用性
优秀
最大
绝对
耐用性
•
•
48V电源电压
48V电源电压
HVVi半导体公司
HVVi
S. 51
st
圣套房
10235
半导体，
HVVi
半导体公司
HVVi
HVVi
半导体公司
公司
半导体公司100
10235 S.
亚利桑那州凤凰城。 100
10235
st
51
st
st
圣
85044
100
10235
10235
S.
圣套房
圣套房100
S. 51
S. 51
51st
套房
100
圣套房
PHOENIX ，
85044
亚利桑那州凤凰城。
AZ 。
亚利桑那州凤凰城。 85044
85044
亚利桑那州凤凰城。 85044
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为
半导体，
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为
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ar
耐用性
耐用性
耐用性
该HVV1012-100
耐用性
承受的
该设备驻留在法兰的两铅金属
包带法兰双金属铅
该设备驻留在液晶聚合物盖。该
设备
包装样式
金属
LID 。
为
该
该
NI-400
所在
液晶聚合物
法兰式包
设备驻留在两个导
有资格的总
包带液体
a
在两导线金属法兰
包
TEST
液体
a
盖子。该
聚合物
包装样式
同
该
泄漏
同
聚合物
是合格的方法
该
is
液晶
–
in
水晶
HV400
法兰连接
NI-400
设备所在
MIL- STD- 750D ，对于
LID 。
1071.6,
包装样式
双金属铅
毛
NI-400
○条件
风格是合格的
LID 。
毛
与套餐
泄漏
C.
液晶
法
泄漏测试
包
测试 - MIL -STD- 883 ，
1071.6,
合格
TEST
毛
MIL- STD- 750D ，方法
方法1014 。
为
MIL-STD-750D,
聚合物
为
该
泄漏测试 -
C.
NI- 400封装样式资格
1071.6,
毛
测试条件
TEST
测试 - MIL -STD- 750D ，方法1071.6 ，
泄漏
条件C.
耐用性
测试条件C.
装置能够
产量
该HVV1012-100装置能够
能不匹配
承受的
该HVV1012-100设备
of
负载
of
该
对应于一20 ： 1的VSWR在额定
of
HVV1012-100装置能够
产量
输出负载不匹配
输出负载
以20：1的VSWR在
相应
不匹配
承受的
该
电源和操作
能够
HVV1012-100设备
负载
承受输出
电压
不匹配
该
对应于一
在额定输出
额定输出功率
an
20 ： 1 VSWR
负载
评级
横过
频
承受
以20：1的VSWR在
不匹配
产量
相应
跨越和工作电压
产量
频率
操作。
动力
指环
operatingband
和
操作。
电压
at
of
横过
产量
昆西
符号参数
VSWR
条件
该
对应于一20：1的
TEST
功率和工作电压
评级
横过
最大
该
单位
频率
跨越和工作电压
BAND
of
操作。
动力
1
频率
BAND
of
100W
操作。
负载
P
OUT
=
20:1
符号LMT
参数
BAND
最大
单位VSWR
频率
参数
测试条件
of
符号
测试条件
操作。
单位
最大
不匹配
1
LMT
负载
P
TEST
100W
= F = 1150
20:1
VSWR
符号参数
OUT
OUT
条件
兆赫
20:1
单位
最大
LMT
1
负载
公差
P
= 100W
VSWR
不匹配
1
LMT
负载
P
1150兆赫
20:1
VSWR
不匹配
F =
OUT
= 100W
F = 1150 MHz的
公差
不匹配
公差
F = 1150 MHz的
公差
y
EG-01-PO04X2
EG-01-PO04X5
06/10/08
EG-01-PO04X2
EG-01-PO04X2
EG-01-PO04X2
10/13/08
06/10/08
1
06/10/08
06/10/08
1
1
1
1
描述
描述
描述
HVV1012-100装置是一个高
高功率
高压硅增强型RF晶体管
高功率HVV1012-100装置是一个高
描述
描述
L波段航空电子脉冲功率晶体管
包
1025-1150MHz ， 10μs的脉冲， 1 ％关税
包
二甲醚和TCAS应用
包
包
包
设计
HVV1012-100
雷达应用
高
增强型RF晶体管
高压硅
动力
L波段的脉冲
装置是一个高
工作在脉冲雷达应用
高压硅增强型RF
从1025
设计
高
L波段
HVV1012-100设备
晶体管
为
动力
的频率范围内
该
高功率HVV1012-100装置是
是一种高
该
MHz至
对于L波段
1150频率范围从
高压
设计
硅
兆赫。
脉冲雷达应用
操作过的
增强型RF晶体管
1025
电压
操作
兆赫。
L波段脉冲雷达应用
兆赫
硅增强
频率
晶体管设计
到1150
在该
RF模式
范围为1025
设计
兆赫
特点
频带
操作过
to
脉冲
该
L波段
1150兆赫。
操作过
航空电子应用
从1025
HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
