HVV1012-050
HVV1012-050
HVV1012-050
脉冲功率晶体管
HVV1012-050
L波段航空电子脉冲功率晶体管
L波段航空电子设备
HVV1012-050
兆赫，脉冲功率晶体管
L波段航空电子功率晶体管
创新的半导体公司！
兆赫， 10μs的脉冲， 1 ％关税
L波段航空电子Pulsed10μs脉冲， 1 ％关税
1025-1150
1025-1150
L波段航空电子脉冲功率
税税
1025-1150
HVV1012-050
兆赫， 10μs的1 ％
晶体管
1125至50年兆赫， 10μs的脉冲，脉冲， 1 ％
1125至50年兆赫，为10μs
功率晶体管
HVV1012-060产品概述
L波段航空电子脉冲
脉冲， 1 ％关税
1125至50年兆赫， 10μs的脉冲， 1 ％关税
TM
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
to
频率范围从1025MHz至1150MHz 。
1150兆赫。
特点
特点
特点
功率增益
•
•
高功率增益
高
特点
GainRuggedness
•
•
优秀
优秀
高
特点
耐用性
•
高功率功率增益
•
•
绝对最大额定值
绝对最大额定值
价值
符号参数
符号参数
价值
绝对最大额定值
105
符号漏源电压105
参数
V
DSS
漏源电压值
绝对最大额定值
符号V
DSS
参数
价值
单位
Pr
礼
m
热特性
热特性
热特性
热特性
热特性
热特性
最大
符号参数
符号参数
最大
热特性
0.28
11
符号热阻
参数
最大
热阻
0.28
电气特性
电气特性
电气特性
电气特性
电气特性
电气特性
电气特性
符号
符号
参数
参数
单位
单位
单位
° C / W
° C / W
JC
符号
JC
参数
最大
符号参数
最大
单位
单位
1
1
热
1
JC
热阻
JC
符号
热阻
0.28
参数
阻力
0.28
0.28
单位
° C / W
最大
° C / W
° C / W
JC
1
热阻
0.28
° C / W
JC
单位
单位
单位
V
V
符号参数
价值
单位
V
V
GS
栅源电压
栅源电压
10
V
漏源105
105
DSS
V
DSS
V
GS
漏源电压电压10 V
V
DSS
DSX
漏源电压105
10
V
A
V栅源电压电流44 V
单位
V
栅极 - 源
I
DSX
I
GS
漏极电压
漏电流10
价值
A
V
GS
符号参数
V
GS
P
DSX
栅源电压
95
4
V
DSS
D
漏CurrentDissipation
漏源电压
10
625
V
W
105
625
漏
A
PI
电源电流4
功耗
W
D
I
DSX
A
I
V
GS
SD
漏电流
电压
4
625
栅极 - 源
温度-65〜
V
°C
10
-65
A
TP
StorageDissipation
存储
°C
功耗温度
W
P
D
DSX
T
S
功耗
625
W
P
D
T
S
动力
当前
625
+200
A
W
°C
I
DSX
漏
耗散
4
+200to
T
S
StorageStorage温度-65
温度-65〜
°C
P
2
J
功耗
625
to
T
S
D
TT
J
存储温度-65
200
W
°C
+200
°C
°C
连接点
连接点
200
+200
T
S
T
储存温度
+200
-65〜
温度
温度
连接点
200
°C
°C
J
连接点
T
J
200
°C
+200
T
J
连接点
200
°C
温度
温度
T
J
连接点
200
°C
温度
温度
条件
条件
典型值
典型值
单位
单位
符号
参数
条件
2mA
典型值
V
BR （ DSS ）
漏源击穿条件
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
VGS=0V,ID=1mA
110
110
V
符号V
BR （ DSS ）
参数
典型值
102
单位VUnits
符号
参数
条件
典型值
单位
V
BR （ DSS ）
漏 - 源电流
VGS=0V,ID=1mA
110
V
II
DSS
漏漏BreakdownVGS = 0V ， ID = 1毫安
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
VGS=0V,VDS=48V
<10
µA
符号
参数
条件
典型值
<10
V
V
BR （ DSS ） DSS
110
<50
V
单位
µA
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
110
漏漏
VGS=0V,VDS=48V
µA
I
GSS
I
GSS
栅极漏电流
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
VGS=5V,VDS=0V
<1
漏源
当前
VGS=0V,ID=1mA
110
<10
V
DSS
I
DSS
I
V
BR （ DSS ）
漏极漏电流电流VGS = 0V ， VDS = 48V
<10 <1 μA
µA
µA
漏漏
击穿
VGS=0V,VDS=48V
<10
DSS
1 1
G
GSS
门
漏
漏电流
G
漏电电流VGS = 5V ， VDS = 0V
电源电流
PP
OUT
=60W,F=1025,1150MHz<1
<1
23 µA
µA
dB
dB
I
门增益
VGS=5V,VDS=0V
<1
µA
VGS=0V,VDS=48V
<10
23
µA
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
I
GSS
I
I
DSS
P P
LeakageGain
门
漏电流
VGS=5V,VDS=0V
GSS
11
I
GSS
P
门
收益
VGS=5V,VDS=0V
<1
G
动力
23
dB
IRL
输入回波损耗
INPUT GAIN
PP
OUT
=60W,F=1025,1150MHz23
23
99分贝
µA
dB
dB
dB
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
G
P1
G
P1
1
IRL功率增益回波损耗
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
动力
漏电流
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
11 1
G
P
IRL输入回波效率
功率增益
P
OUT
PP
OUT
=60W,F=1025,1150MHz9
23
52
dB
=60W,F=1025,1150MHz
输入反射
9
漏损失
漏EF网络效率
52
dB
dB
％分贝
%
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
IRL
1
IRL
1
DD
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
输入回波损耗
损失
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
9
1
11
1
1
IRL
输入反射
P
OUT
PP
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
52
=60W,F=1025,1150MHz
9
1
PD
PD
脉冲下垂
脉冲下垂
<0.3
dB
漏EF网络效率
52
%
dB
%
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
D
漏EF网络效率
损失
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
漏EF网络效率
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
52
<0.3
%
dB
D
D
1
1
漏EF网络效率
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
52
D
PD
脉冲
P
OUT
= 60W ， F = 1025,1150MHz<0.3 <0.3
%
PD
1
PD
1
1
脉冲下垂下垂
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
dB
dB
dB
脉冲下垂
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
<0.3
PD
UnderPulse
脉冲下垂
脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 1 ％ ， IDQ = 25毫安
P
OUT
=60W,F=1025,1150MHz
在VDD = 48V ， IDQ = 25毫安
<0.3
dB
1 ）在PulseConditions ：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比= 1 ％
条件：
1
1.)
在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 1 ％ ， IDQ = 25毫安
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒， 10微秒，脉冲占空比= VDD为48V ， IDQ = 25毫安25毫安
1.)
2
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度=脉冲占空比在周期= 1 ％
在VDD
VDD = 48V ，
= 25毫安
在脉冲条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比= 1 ％
1% =
= 48V ， IDQ
IDQ =
1.)
额定在T
例
条件：脉冲宽度= 10微秒，脉冲占空比= 1 ，在VDD = 48V ％ ， IDQ = 25毫安
在脉冲
= 25°
in
48V电源电压
•
•
•
48V电源电压
高
耐用性
出色的耐用性
优秀
功率增益
•
48V
•
电源电压的电压
高功率
供应
•
•
优秀
收益
48V
耐用性
高功率增益
•
•
•
48V电源电压
出色的耐用性
出色的耐用性
绝对最大额定值
绝对最大额定值
•
•
48V电源电压
48V电源电压
绝对最大额定值
HVVi半导体公司
HVVi半导体公司
HVVi半导体，
100
HVVi南51街套房
10235 S. 51
STST
圣套房
10235半导体，
HVVi
半导体公司
公司
HVVi
HVVi
半导体公司
公司
半导体公司100
10235
51
st
st
Az.85044
100
100
凤凰城， 51
st
85044
PHOENIX ，
圣
圣套房
10235
st
51
51st
套房
100
10235
10235
S.
圣套房
圣套房
100
S.10235
S.
AZ 。
套房
51
S.
S.
圣
100
PHOENIX ，
AZ 。
PHOENIX ，
85044 85044
凤凰城，凤凰城，
AZ 。 85044
AZ 。
AZ 。 85044
PHOENIX ，
AZ 。 85044
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为
半导体，
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为
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半导体，
所有
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ar
该装置位于aatwo铅金属的法兰
该装置位于两个铅金属的法兰
包与液晶聚合物盖。该
包双铅金属法兰连接法兰
在液体中的两引线金属的设备
该设备所在居住incrystal聚合物盖子。该
设备
包装风格
金属带法兰
NI- 400封装
双引
聚合物盖子。
包
in
液体聚合物的盖子。
该
该
NI-400
所在
水晶crystalqualifiedThe毛
设备所在
同
双金属铅的法兰
对于
包
包带液体
a
IN A
风格资格总值（GDP）
包
TEST
液体
两铅金属
LID 。
为毛
泄漏
所在
MIL- STD- 750D ，对于
法兰连接
风格
NI-400
聚合物盖子。
限定的方法1071.6 ，
该
泄漏
同
packageisstyle
聚合物
包
1071.6,
设备
测试 - MIL -STD- 750D ，方法
该
in
水晶
合格
NI- 400封装
与液晶
风格
在HV400
毛
NI- 400封装
MIL-STD-750D,
LID 。
毛
TEST
液体
C.
测试条件C.
泄漏测试 -
包
○条件
风格是合格的
方法1071.6 ，
液晶聚合物
1071.6,
泄漏测试
总泄漏测试MIL -STD -883方法1014 。
MIL- STD- 750D ，方法
为
该
合格
包装样式
–
有资格
1071.6,
泄漏
测试条件C.
测试 - MIL -STD- 750D ，方法
毛
NI-400
测试条件C.
TEST
测试 - MIL -STD- 750D ，方法1071.6 ，
泄漏
条件C.
耐用性
耐用性
测试条件C.
该HVV1012-060装置能够
的capablecapable
该HVV1012-060
该HVV1012-060装置设备
of
is
承受
is
of
该
相应全胜
设备
VSWR负载ratedoutput
HVV1012-060
相应的toaa20 ： 1 VSWR
能
产量
在额定
VSWR
at
a 20:1
承受output20 ： 1
is
不匹配
of
产量
不匹配
对应于输出负载失配
承受的
负载
该
功率和工作电压
不匹配
该
HVV1012-060
产量
承受
和运营VSWR在acrossoutput
an
功率到20：1的
设备
atvoltageoutput
of
该
横过
对应的VSWR
负载
能
a 20:1
is
评级
两端的电压
相应
额定输出功率
20 ： 1 VSWR的额定
评级
和
承受
和
a
操作
负载
of
不匹配
相应
输出
操作
产量
该
频率
to
频率
BAND
BAND
of
操作。
电压操作。
供电电源的工作电压
at
ACROSS ACROSS
和
thefrequency带
到A
操作。
条件
产量
of
20:1
电压
评级
该
最大单位
相应
参数
VSWR
条件
电源和操作
TEST
横过
操作。
单位
该
频率
BAND
TEST
of
符号
符号参数
最大
耐用性
耐用性
耐用性
耐用性
该HVV1012-060装置能够
该HVV1012-060装置能够
耐用性
承受的输出负载失配
承受的输出负载失配
频率
跨越和工作电压
BAND
of
操作。
动力
1 1
频率
BAND
of
操作。
LMT
LMT
负载
P
OUT
条件
20:1
20:1
VSWR
OUT
=
符号负载测试条件
60W
最大
参数PTEST =
60W
最大
单位
符号参数
BAND
单位VSWR
频率
参数测试条件
操作。
单位
of
符号
1
最大
不匹配
不匹配
1
LMT
LOADP
P
OUT
=
60W
20:1
20:1
LMT
负载
=
60W
1150MHz
驻波比VSWR
=
符号参数
OUT
OUT
条件
TEST
FF = 1150MHz
最大
LMT
1
负载
公差
P
20:1
单位
VSWR
公差
=
60W
不匹配
不匹配
1
F = 1150MHz
LMT
负载
公差
=
60W
P
1150MHz
20:1
VSWR
不匹配
F =
OUT
F = 1150MHz
公差
不匹配
公差
F = 1150MHz
公差
y
EG-01-PO03X2
EG-01-PO03X2
EG-01-PO03X5
EG-01-PO03X2
06/10/08
EG-01-PO03X2
EG-01-PO03X2
06/10/08
EG-01-PO03X2
10/13/08
06/10/08
11
06/10/0806/10/08
06/10/08
1
1
1
1
1
描述
描述
描述
描述
描述
HVV1012-060设备是AA高
高功率HVV1012-060设备是
高功率
高
高压硅增强型晶体管
高压硅
高HVV1012-060设备是射频
高功率电源HVV1012-060 DEVICEHIGH高
描述
增强型RF晶体管
描述
芯片设计
HVV1012-060
模式应用
为增强
晶体管
该
电压
动力
L波段模式
DEVICE IS
应用
高
电压designedenhancement脉冲RFradar RF
高
硅对L波段脉冲雷达
晶体管
工作在频率范围fromapplications
工作在频率范围from1025兆赫
1025兆赫
设计
高压硅增强型
雷达
RF
设计
高
L波段L波段脉冲
设备
晶体管
为
脉冲雷达应用
该
1150兆赫。
HVV1012-060装置是
是
电压
该
1150the频率范围从1025
高
高
动力
要通过
为
在频率范围
应用
兆赫
to
高
功率HVV1012-060
雷达
从1025
兆赫。
操作
L波段的脉冲
设计
硅增强型RF晶体管
操作
兆赫
电压
到1150兆赫。
频率范围为1025 MHz的
为
操作过的
硅
到1150兆赫。
增强型RF
雷达应用
设计用于L波段脉冲
晶体管设计
到1150兆赫。
频率范围从1025兆赫
过度
L波段
过度
操作
脉冲式航空电子应用的操作
特点
特点
L波段航空电子脉冲功率晶体管
包
税
1025-1150MHz ，为10μs
包
脉冲， 1％的
包
包
二甲醚和TCAS Apllications
包
包
包
HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
