HVV1214-025
HVV1214-025
L波段雷达
L波段雷达脉冲功率晶体管
HVV1214-075
脉冲功率晶体管
1200-1400
HVV1214-025
兆赫， 200 ！ s脉冲， 10 ％占空比
创新的半导体公司！
脉冲功率晶体管
1200年至1400年兆赫， 200 ！ s脉冲， 10 ％占空比
L波段雷达
HVV1214-025
L波段雷达
兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
1200-1400
脉冲功率晶体管
L波段雷达脉冲功率晶体管
1200年至1400年兆赫， 200 ！ s脉冲， 10 ％占空比
HVV1214-025产品概述
1200年至1400年兆赫， 200 ！ s脉冲， 10 ％占空比
L波段雷达脉冲功率晶体管
包
包
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
描述
雷达应用
描述
HVV1214-025设备
基于地面
包
高功率
高
描述
描述
TM
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
•
出色的耐用性
•
出色的耐用性
•
48V电源
电压
供应
该
•
高
48VSupply电压
功率HVV1214-075装置是一个高
•
高功率增益
电压
48V
•
高压硅增强型RF晶体管
功率增益
•
高高功率增益
出色的耐用性
•
雷达应用
•
设计
耐用性
优秀
L波段的脉冲
评级
绝对
电压
•
48V电源电压
频率范围从
48V
优秀
该
供应
最大
•
操作过
耐用性
•
符号参数
价值
单位
符号参数
价值
单位
•
48V电源
的1.2GHz至1.4GHz 。
电压
V
DSS
漏源电压105
V
V
DSS
105
符号
漏源电压
评级
V
参数
绝对最大
数值单位
V
GS
栅源电压
10
V
V
GS
栅源电压
105
V
V
DSS
漏源电压
10单位
V
A
符号参数电流
Value2
I
DSX
漏
特点
当前
I
DSX
漏
2
A
V
GS
漏源电压105
10
栅极 - 源
瓦卢耶夫
V
W
单位
V
DSS
符号参数
电压
P
D2
功耗
116
2
P
D
动力
当前
电压
8
耗散
116
W
I
DSS
漏
漏源
V
V
GS
V
DSX
栅极 - 源
收益
10
95
V
T
StorageVoltage
温度105〜
A
°C
-65
T
SS
2
高功率
温度
250
to
存储
-65
°C
P
D
功耗
栅源电压
10 A
W
V
I
DSX
V
GS
漏电流
+200
出色的耐用性
2
+200
T
S
存储温度-65〜
漏电流
A
DSX
P
D2
IT
1,2
功耗
116 2
连接点
200 W
°C
°C
48V
连接点
电压
供应
T
J J2
200
°C
+200
P
D
功耗-65〜
116 °C宽
温度
T
S
储存温度
温度
T
J
连接点
°C
T
S
储存温度
200
to
-65
°C
+200
温度
绝对最大额定值
°C
T
J
连接点
200 +200
T
J
连接点
200
°C
温度
温度
符号参数
价值
单位
V
DSS
漏源电压105
热特性
V
热特性
热特性
V
热特性
V
GS
栅源电压
10
I
符号参数
8
最大
A
单位
DSX
F =
1090
兆赫
1300MHz
符号
漏电流
最大
单位
符号
参数
最大
单位
不匹配
P
OUT
= 75W
LMT
1
负载
20:1
VSWR
2
公差
F =
1090
兆赫
P
D 1
功耗
W
° C / W
热阻
250
1.5
热特性
1.5
公差
不匹配
热阻
° C / W
热阻
0.70
° C / W
JC
热特性
°C
F
T
S
存储温度-65〜
耐用性
= 1400MHz的
公差
符号参数
最大
+200
单位
ELECTRICALCHARACTERISTICS
°C
符号
连接点
特征
单位
参数
最大
电气特性
电动
T
J
热阻
1.5
200
° C / W
该HVV1214-075装置能够
电气特性
° C / W
热阻
1.5
温度
承受的输出负载失配
符号
参数
条件
对应于一20：1的
典型值
单位
VSWR在所有阶段
符号
参数
条件
典型值
单位
电动
参数
特征
2mA
102
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
110
V
符号
典型值
单位
角
电气特性
条件
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
并在额定输出功率和工作
110
V
<25
I
BR （ DSS ）
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
V
DSS
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
V
!A
在整个电压110
频率
!A
指环
I
DSS
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
符号
参数
泄漏
当前
典型值
<10
单位
!A
I
GSS
栅极泄漏
VGS=5V,VDS=0V
<1
I
DSS
VGS=0V,VDS=48V
µA
操作。
特征
条件
I
热
漏
泄漏
当前
门
当前
VGS=5V,VDS=0V
<1
!A
GSS
1
符号漏源击穿
参数
条件
典型值V
µA
单位
V
BR （ DSS ） P
VGS=0V,ID=1mA
1300MHz
110
<1
G
1
功率增益
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
测试条件
17.5
dB
I
GSS
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
符号参数
单位
G
P
1
1
功率增益击穿
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
17.5
dB
V
BR （ DSS ）
漏输入
收益
当前
漏源损失
VGS=0V,ID=1mA
110
!A
dB
最大
V
I
DSS
G
P
1
泄漏
VGS=0V,VDS=48V
1
1300MHz
IRL
P
8
dB
动力
回报
P
OUT
OUT
= 25W ， F = 1200,1400MHz <10
21
符号参数
回波损耗
最大
单位= 75W ， F = 1200MHz的， 1400MHz的
P
OUT
=
8
LMT
负载
75W
20:1
VSWR
IRL
输入漏电流
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
dB
VGS=0V,VDS=48V
不匹配
<10
!A
I
GSS
I
DSS
1
门漏极
阻力
漏电流
0.70
VGS=5V,VDS=0V
1300MHz
漏EF网络效率
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
%
IRL
输入
效率
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
<1
9
49
热反射损耗
° C / W
=25W,F=1200,1400MHz
F = 1400MHz的
!A
dB
JC
漏
P
OUT
49
%
1
门
效率
VGS=5V,VDS=0V
公差
<1
!A
GSS
G
P1
IPD
1
电源GainDroop电流
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
漏
泄漏
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
17.5
44
脉冲
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
<0.2分贝
%
dB
1300MHz
D
1
1
脉冲下垂
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
<0.2
dB
PD
1
功率增益
P
=75W,F=1200MHz,1400MHz
8
17.5
dB
IRL
1
G
P 1
输入回波损耗
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
PD
脉冲下垂
P
OUT
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
<0.6
dB
dB
IRL
输入回波脉冲
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
8
1
1 ）暗渠效率
= 25W ， F = 1200,1400MHz = 10 ％
48V ， IDQ 15毫安
％分贝
脉冲条件：损失宽度=
脉冲占空比
10%
在脉冲条件：脉冲
脉冲宽度= P
OUT
脉冲占空比=
周期
在VDD =
atVDD =
=
48V ， IDQ = 15毫安
电气特性
200 ！秒，脉冲占空比= 10 ％ 49VDD = 48V ， IDQ = 15毫安
1 ）在脉冲条件：
宽度= 200μsec ，
P = 25W ， F = 1200,1400MHz在
200!sec,
OUT
200μsec ，脉冲占空比=
VDD }
2 ）额定
脉冲条件：
在T漏极效率
=
分贝％
2
1 ）在
脉冲下垂
PD
1
额定功率为TCASE
例
= 25°C
脉冲宽度=
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
在10％的
<0.249
48V ， IDQ = 50毫安
= 25°C
25°C
2 ）额定在T
例
1
脉冲下垂
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
<0.2
dB
PD
2 ）额定在T
例
= 25°C
符号
参数
条件
典型值
单位
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 200秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 10 ％ ， IDQ = 15毫安！
V
BR （ DSS ）
漏源
脉冲宽度
VGS=0V,ID=1mA
110
1 ）在脉冲条件：
击穿
= 200 ！秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 10 ％ ，
V
IDQ = 15毫安
2 ）额定在T
例
= 25°C
I
DSS
漏
公司
VGS=0V,VDS=48V
<10
µA
2 ）额定在T
例
=
泄漏
HVVi半导体，
25°C
当前
Foradditional信息，请访问：
www.hvvi.com
EG-01-PO05X1
HVVi半导体公司
有关更多信息，请访问：
www.hvvi.com
EG-01-PO05X1
st
I
GSS
<1
µA
st
10235 S. 51街
门
100
套房
漏电流
HVVi半导体公司机密
HVVi
VGS=5V,VDS=0V
机密
4/29/08
为
半导体公司
附加信息：
10235
半导体，
收益
100套房
4/29/08
EG-01-PO05X5
1
HVVi
S. 51街
动力
公司
G
P
dB
EG-01-PO08X1
1
HVVi半导体公司
为
HVVi
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
亚利桑那州凤凰城。 85044
©2008
更多信息，请访问：
版权所有。
21
2008HVVi半导体公司
www.hvvi.com
半导体， Inc.保留所有权利。
PHOENIX ，
51st
85044
100
1
10/13/08
1
10235 S.
AZ 。
圣
输入回波损耗
©
联系电话： （ 866 ） 429 - HVVi （ 4884 ） ，或浏览www.hvvi.com
套房
st
IRL
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
9
dB
HVVi
10235 S. 51街100套房
半导体公司
有关更多信息，请访问：
公司机密
EG-01-PO05X1
HVVi半导体，
www.hvvi.com
5/23/08
1
半导体公司
1
亚利桑那州凤凰城。 85044
HVVi
st
圣套房
漏EF网络效率
©2008 HVVi半导体， Inc.保留所有权利。
44
为
HVVi半导体， Inc.保留所有权利。
更多信息，机密
访问：
www.hvvi.com
EG-01-PO05X1
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
%
亚利桑那州凤凰城。 85044
© 2008
半导体公司
10235 S.
D
51
100
HVVi
4/29/08
1
st
10235 S. 51街套房
垂
©2008 HVVi半导体， Inc.保留所有权利。
HVVi
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
半导体公司机密
4/29/08
PD
1
<0.6
dB
亚利桑那州凤凰城。 85044
脉冲
100
1
特点
功率增益
描述
收益
•
高
动力
高
•
高功率
特点
耐用性
特点
收益
优秀
Pr
礼
m
亚利桑那州凤凰城。 85044
©2008 HVVi半导体， Inc.保留所有权利。
in
ar
高功率HVV1214-025装置是一个高
描述
高压硅增强型RF
是一种高
晶体管
高功率HVV1214-075设备
晶体管
高压硅增强型RF
设计用于L波段脉冲雷达应用
高压硅增强型RF晶体管
描述
设计用于L波段脉冲雷达应用
操作
为
频率
雷达
从
设计
过度
L波段的脉冲
RangeA
应用
高功率温习频率范围包括从
操作HVV1214-025设备是高
该highto 1.4GHz的。
1.2GHz
操作
1.4GHz.
该
模式设备
高
过度
电压siliconpower HVV1214-025 RF晶体管
从
高
要增强
频率
是
是一种高
1.2GHz
HVV1214-025电力设备
范围
电压
高压硅增强型RF晶体管
1.2GHz
L波段脉冲雷达应用
设计
至1.4GHz 。
硅增强型RF晶体管设计
设计用于L波段脉冲雷达应用
工作在频率范围从
特点
L波段的脉冲
该
应用程序的操作
操作过
特点
的1.2GHz至1.4GHz 。
雷达
频率范围从
在该
特点
从1.2GHz的至1.4GHz 。
的1.2GHz至1.4GHz 。
频带
L波段雷达脉冲功率晶体管
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
该装置位于一个表面贴装
该装置位于一个表面贴装
晶体管封装用陶瓷盖。该
晶体管封装用陶瓷盖。该
包
风格是合格的总泄漏
SM200包
SM200包装风格资格总值泄漏
测试 - MIL -STD -883方法1014 。
该器件的MIL -STD -883方法1014 。
测试 - 驻留在一个表面贴装
该设备驻留在一个表面贴装
晶体管封装在陶瓷盖。该
晶体管的风格是用陶瓷盖。该
SM200 packagePackage资格总值泄漏
SM200包
测试 - MIL -STD- 883 ，风格
山晶体管封装
该设备驻留在
法胜任总泄漏
表面
耐用性
1014.
该设备驻留在法兰的两铅金属
测试 - MIL -STD -883方法1014 。
耐用性
用陶瓷
同
该SM200包装风格是合格的
包
LID 。
液晶聚合物盖。该
对严重泄漏
包装风格资格
1014.
泄漏
HV400
测试 - MIL -STD -883方法
毛
耐用性
测试 - MIL -STD- 750D ，方法1071.6 ，测试
该HVV1214-025装置能够
该HVV1214-025装置能够
耐用性
条件C.
承受的输出负载失配
承受的输出负载失配
对应于一20 ： 1的VSWR在所有相
对应于20： 1
所有相
耐用性
aoutput VSWR在工作
角度和额定
电源
和
该HVV1214-025设备能够和运营
耐用性
角度和额定输出功率
该HVV1214-025设备capableof
跨频带电压
withstandingacross频带OFOF
不匹配
电压的
设备能够经受一个的
该HVV1214-025
输出负载负载不匹配
withstandinga 20 ： 1 VSWR在所有阶段
输出
操作。
对应
操作。
该
装置能够
输出负载
HVV1214-075
20 ： 1 VSWR
以20：1的VSWR超过
对应于一个功率和工作
of
角度和
相应的不匹配
在所有阶段
额定输出
承受
额定输出功率和
不匹配
单位
an
负载
角度和
和
频带的
符号
最大
所有相
横过
参数
产量
条件
和
最大
操作
电压
角
参数
输出功率
操作
单位
该
评级
测试条件
符号
1
对应于艾因一
①测试
300W
of
法兰连接
VSWR
20:1
OUT
VSWR在所有阶段
设备
负载
的频带
所在
双金属铅
20:1
两端的电压
LMT
P
操作。
两端的电压
额定输出功率
操作。
频带的
和
LMT
1
负载
20:1
VSWR
角度和
不匹配P
OUT
=
300W
包与液晶聚合物的操作
盖子。该
操作。
不匹配
F =
1090
兆赫
两端的电压
F =
1090
频带的
公差
HV400包
测试条件兆赫
总泄漏
符号参数
风格资格
最大
单位
公差
操作。
参数测试条件
1
符号
LMT
测试 - MIL -STD- 750D ，
300W
负载
P
OUT
=
方法1071.6 ，
最大
20:1
TEST
单位
VSWR
条件C.
LMT
参数
负载
符号
1
不匹配
TEST
P
OUT
=
300W
条件
最大
20:1
单位
VSWR
y
包
包
HVV1214-075
包
1
HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
