L波段雷达脉冲功率晶体管
包
包
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
该
描述
HVV1214-075装置是一个高
高功率HVV1214-075装置是一个高
高功率
高压硅增强型RF晶体管
包
高压硅增强型RF
对于基于地面雷达应用
晶体管
设计用于L波段脉冲雷达应用
设计用于L波段脉冲雷达应用
描述
高功率HVV1214-075装置是一个高
操作过在频率范围从
该
操作
高压硅增强型RF晶体管
描述
频率范围从
的1.2GHz至1.4GHz 。
1.2GHz的到
L波段
设计
1.4GHz.
脉冲雷达应用
高功率HVV1214-075装置是一个高
操作过
HVV1214-075设备
范围
频率
高电压
电压
动力
高
硅增强型RF
a
晶体管
的1.2GHz至1.4GHz 。
特点
L波段
模射频晶体管设计
设计
特点
硅增强
脉冲雷达应用
工作在频率范围从
工作在L波段脉冲雷达应用
的1.2GHz至1.4GHz 。
特点
从1.2GHz的
高增益高
动力
频带
功率增益
至1.4GHz 。
出色的耐用性
出色的耐用性
48V电源
收益
特点
电压
高功率
48V电源电压
特点
出色的耐用性
48V电源
收益
高
最大
绝对
动力
电压
评级
•高功率增益
绝对
耐用性
评级
最大
优秀
•卓越的耐用性
48V电源电压
绝对最大额定值
• 48V电源电压
符号参数
价值
符号参数
ValueUnit单位
V
绝对最大
电压105 V
漏源电压105
DSS
V
漏源
评级
V
DSS
V
GS
绝对最大
10 10 V
符号
栅源电压
参数
价值
单位
V
评级
V
GS
栅源电压
I
DSX
I
漏电流
电压
8
105
8
A
V
DSS
漏源
V
A
漏电流
DSX
2
符号
栅源电压
250
参数
价值
单位
V
P
D
V
GS
P
2
功耗
功耗
10
250 W W
D
V
DSS
漏源电压
-65〜
105
V
95
漏
温度
8
T
S
I
DSX
存储
当前
°C
T
存储温度-65〜
A
°C
2
V
GS
S
栅源电压
+200
10
P
D
功耗
250
+200
V
W
I
S
漏电流
8
to
°C
A
DSX
存储
-65
T
J
T
T
连接点
温度
200 200
°C
°C
连接点
P
D2
J
功耗
250
W
+200
温度
温度
T
存储
-65
°C
T
J
S
连接点
温度
200
to
+200
温度
T
J
连接点
200
°C
温度
描述
描述
HVV1214-075
HVV1214-075
L波段雷达脉冲功率晶体管
L波段雷达脉冲功率晶体管
HVV1214-075
兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
1200-1400
创新的半导体公司！
脉冲功率晶体管
L波段雷达
HVV1214-075
为200μs的脉冲， 10 ％占空比
1200-1400兆赫，
HVV1214-075产品概述
L波段雷达脉冲功率晶体管
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
TM
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
该
i
nnovative半导体公司！
Pr
礼
m
热特性
热特性
热特性
UNIT UNIT
热
参数
符号参数
MAX MAX
符号
特征
JC
1
1
热阻
0.70
° C / W
JC
热
热阻
最大
0.70
单位
° C / W
特征
符号参数
1
热阻
0.70
° C / W
JC
符号参数
最大
单位
1
电气特性
° C / W
热阻
0.70
JC
电气特性
in
符号
LMT
1
ar
公差
OUT
参数
测试条件
不匹配
F = 1400MHz的
负载
公差
P
OUT
= 75W
不匹配
F = 1400MHz的
公差
最大
20:1
该设备驻留在法兰的两铅金属
该设备驻留在法兰的两铅金属
打包带液晶聚合物盖子。该
水晶
液体包
双引
聚合物盖子。该
该
HV400包
IN A
in
is
双金属铅的法兰
设备所在
风格
a
合格的总泄漏
金属法兰包
该
HV400
所在
风格是合格的总泄漏
设备
包
同
与套餐
聚合物盖子。在HV400
LID 。
TEST
风格
液晶
液晶
法
包
测试测试 - MIL- STD- 750D ，
聚合物
1071.6 ，测试
- MIL -STD- 750D ，方法1071.6 ，
该
条件C. C.
泄漏测试 - MIL- STD- 750D ，
泄漏
HV400
为毛
合格总
法
该装置位于
合格
包装样式
a
is
双金属铅的法兰
条件
①测试
液体
包
MIL- STD- 750D ，方法1071.6 ，测试
1071.6 ，测试条件C.
液晶聚合物盖子。该
HV400包装风格是合格的总泄漏
条件C.
耐用性
方法1071.6 ，测试
①测试
耐用性
MIL-STD-750D,
条件C.
耐用性
耐用性
DEVICE IS
在该HVV1214-075装置能的
HVV1214-075
能
该
承受
设备
输出负载
承受的
HVV1214-075
an
能够
ismismatch
承受的输出负载失配
耐用性
输出负载不匹配
A到
设备
VSWR
20:1
相
过度
a
所有
该
对应20： 120： 1
is
to
能
所有
of
HVV1214-075
一个VSWR
对应
相应
OVER OVER
VSWR
相
承受的
输出功率和
不匹配
产量
电源和操作
负载
角度和额定
操作
所有相
角度和
额定输出
电源和操作
角度和
额定输出
该HVV1214-075
20:1
频带
of
能
相应
横过
设备
频率
相
to
电压
电压
频率
VSWR在所有
BAND
两端的电压
横过
a
在该
负载不匹配
的
该
输出
承受
额定输出
波段操作。
角度和
电源和操作
操作。
操作。
对应于一
该
VSWR在所有阶段
20:1
频带的
两端的电压
测试条件
符号参数
最大最大单位单位
符号
角度和
参数测试条件
操作
电源和
操作。
额定输出
75W
LMT
1
LMT
1
LOAD LOAD
P
OUT
=
20:1 20:1
VSWR
VSWR
OUT
= 75W
两端的电压
P
频带的
符号
不匹配
参数
测试条件
最大
单位
错配= 1400MHz的
F
操作。
F = 1400MHz的
20:1
公差
LMT
1
负载
P
= 75W
VSWR
单位
VSWR
典型值典型值单位
单位
110 110 V
BR （ DSS ）
符号
参数
条件
典型值
102
单位
V
I
DSS
I
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10 <10 μA μA
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
DSS
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
110
<80
V
I
GSS
I
GateGate漏电流
泄漏
VGS=5V,VDS=0V
<1
µA
符号
参数
当前
条件
典型值
<1
单位
µA
VGS=5V,VDS=0V
I
1 GSS
漏极漏电流
VGS=0V,VDS=48V
<10
µA
DSS
G
P
V
BR （ DSS ）
功率增益增益
P
VGS=0V,ID=1mA
21
dB
漏源击穿
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
G
1
动力
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
110
21
V
µA
dB
I
GSS
P
栅极漏电流
VGS=5V,VDS=0V
<1
1
IRL
DSS
1
输入回波损耗损耗
P
VGS=0V,VDS=48V
9
dB
I
漏极漏电流
<10
µA
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
输入反射
G
P1
IRL
功率增益
P
OUT
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
21
9
=75W,F=1200MHz,1400MHz
dB
dB
1
栅极泄漏
<1
44
µA
漏EF网络效率
当前
P
VGS=5V,VDS=0V
44
%
D
I
GSS
1
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
1
漏EF网络效率
IRL
1
D
输入回波损耗
P
OUT
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
9
=75W,F=1200MHz,1400MHz
dB
%
1
功率增益
=75W,F=1200MHz,1400MHz
PD
G
1
PD
1
脉冲下垂
P
P
OUT
P = 75W ， F = 1200MHz的， 1400MHz的
21
<0.6
dB
<0.6
dB
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
脉冲下垂
OUT
漏EF网络效率
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
44
%
dB
D
IRL
1
输入回波损耗
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
9
dB
PD
1
脉冲下垂
P = 75W ， F = 1200MHz的， 1400MHz的
<0.6
dB
1
漏EF网络效率
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
在VDD = 48V ， IDQ
44
%
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 200μsec ，脉冲DutyDuty周期=在VDD = 48V ， = 50毫安10 ％
D
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度=
OUT
200μsec ，脉冲周期= 10 ％
IDQ = 50毫安
1
下
在T
条件：脉冲
PD
1
脉冲下垂
P
OUT
=75W,F=1200MHz,1400MHz
<0.6
dB
2 ）额定
脉冲
例
T = 25 ° C25 ℃，
宽度= 200μsec ，脉冲占空比=在VDD = 48V 10 ％ ， IDQ = 50毫安
1.)
2 ）在额定
条件：脉冲宽度= 200μsec ，脉冲占空比=在VDD = 48V 10 ％ ， IDQ = 50毫安
在脉冲
例
=
2
额定在T
在T
= 25°C
25°C
例
2 ）额定
脉冲条件：脉冲宽度= 200μsec ，脉冲占空比=在VDD = 48V 10 ％ ， IDQ = 50毫安
例
=
1 ）在
2 ）额定在T
例
= 25°C
电气特性
符号
条件
符号参数
参数
条件
电气特性
VGS=0V,ID=1mA
3mA
V
BR （ DSS ）
漏源击穿
V
漏源击穿
VGS=0V,ID=1mA
电气特性
HVVi半导体公司公司
HVVi半导体，
st
HVVi半导体公司
10235 S.
半导体公司
10235 51
st
圣100
HVVi
51 S.St.套房套房100
10235 S.第51届圣
PHOENIX ，
S. 51
85044
100套房
10235
AZ 。
st
AZ 。
100套房
PHOENIX ，
圣
85044
HVVi半导体公司
亚利桑那州凤凰城。
85044
亚利桑那州凤凰城。
st
85044
100
10235 S. 51街套房
亚利桑那州凤凰城。 85044
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y
EG-01-PO08X1
EG-01-PO08X1
EG-01-PO08X4
5/23/08
5/23/08
EG-01-PO08X1
10/13/08
1
5/23/08
EG-01-PO08X1
1
1
5/23/08
1
1
包
包
HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
