HVV1214-025
L波段雷达脉冲功率晶体管
1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
描述
高功率HVV1214-25装置是一个高
高压硅增强型RF晶体管
设计用于L波段脉冲雷达应用
工作在频率范围从
1.2 GHz到1.4 GHz的。
包
特点
•
•
•
高功率增益
出色的耐用性
48V电源电压
该装置位于一个表面贴装
晶体管封装用陶瓷盖。该
SMT封装形式是合格的总泄漏
测试 - MIL -STD- 750D ，方法1071.6 ，测试
条件C.
单位
V
V
A
W
°C
°C
该
i
nnovative半导体公司！
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GS
I
DSX
P
D2
T
S
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
储存温度
连接点
温度
价值
105
10
2
116
-65〜
+200
200
耐用性
该HVV1214-25装置能够
承受的输出负载失配
对应于一20 ： 1的VSWR在所有相
角度和额定输出功率和工作
整个频带的电压
操作。
符号
LMT
1
参数
负载
不匹配
公差
测试条件
P
OUT
= 25W
F = 1400 MHz的
最大
20:1
单位
VSWR
热特性
符号
θ
JC1
参数
热阻
最大
1.5
单位
° C / W
电气特性
符号
V
BR （ DSS ）
I
DSS
I
GSS
G
P1
IRL
1
η
D1
PD
1
参数
漏源击穿
漏极漏电流
栅极漏电流
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
脉冲下垂
条件
VGS=0V,ID=1mA
VGS=0V,VDS=48V
VGS=5V,VDS=0V
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
P
OUT
=25W,F=1200,1400MHz
典型值
110
<10
<1
17.5
8
49
<0.2
单位
V
A
A
dB
dB
%
dB
1 ）在脉冲条件：脉冲宽度= 200秒，脉冲占空比=在VDD = 48V 10 ％ ， IDQ = 15毫安
2 ）额定在T
例
= 25°C
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2008年4月23日
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