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    HVV1214-100 参数 Datasheet PDF下载

    HVV1214-100图片预览
    型号： HVV1214-100
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： L波段雷达脉冲功率晶体管1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比的基于地面雷达应用 [L-Band Radar Pulsed Power Transistor 1200-1400 MHz, 200μs Pulse, 10% Duty For Ground Based Radar Applications]
    分类和应用： 晶体晶体管脉冲雷达
    文件页数/大小： 5 页 / 831 K
    品牌： HVVI [ HVVI SEMICONDUCTORS, INC. ]
     浏览型号HVV1214-100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HVV1214-100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HVV1214-100的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HVV1214-100的Datasheet PDF文件第5页  
    创新的半导体公司！
    HVV1214-100高电压，高耐用性
    TM
    L波段雷达脉冲功率晶体管
    1200-1400兆赫， 200μS脉冲， 10 ％占空比
    对于基于地面雷达应用
    特点
    • MOSFET硅技术
    •操作从24V到50V
    •高功率增益
    •超强的坚固
    •内部输入和输出匹配
    •优良的热稳定性
    •所有金键合方案
    典型性能
    高电压垂直的技术非常适用于在高功率脉冲的应用
    L波段，包括G- DME ， A- DME ，敌我识别， TCAS与S模式的应用程序。
    模式
    CLASS AB
    频率
    （兆赫）
    VDD
    (V)
    IDQ
    （MA ）
    动力
    (W)
    收益
    （ dB）的
    (%)
    η
    IRL
    （ dB）的
    VSWR
    20:1
    1400
    50
    100
    120
    20
    45
    -8
    表1：
    在25℃温度下具有的RF脉冲的条件在宽带文本夹具典型的RF性能
    脉冲宽度=为200ps和脉冲周期= 2ms的。
    描述
    高功率HVV1214-100设备是专为增强型射频MOSFET功率晶体管
    脉冲应用在L波段，从1200MHz至1400MHz的。高压HVVFET ™技术
    生产超过脉冲的输出功率为100W ，同时提供高增益，高效率，以及易于匹配的
    用50V电源。垂直器件结构保证了高可靠性和耐用性的设备是
    指定要承受20 ：在全额定输出功率1 VSWR所有相位角。
    订购信息
    设备型号： HVV1214-100
    演示套件型号： HVV1214-100 -EK
    可通过理察森电子（ http://rfwireless.rell.com/ ）
    HVVi半导体公司
    10235 S.第51街100套房
    亚利桑那州凤凰城。 85044
    ISO 9001：2000认证
    联系电话： （ 866 ） 429 - HVVi （ 4884 ） ，或浏览www.hvvi.com
    ©2008 HVVi半导体， Inc.保留所有权利。
    EG-01-DS06A
    12/11/08
    1

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