HWC27NC
C波段功率FET非导通孔芯片
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
11分贝典型增益为4 GHz的
5V至10V工作
435
650
外形尺寸
来源
描述
该HWC27NC是一个中等功率GaAs FET
设计
为
各个
L波段
＆放大器;
S波段
应用程序。
1
3
215
2
4
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
2mA
175
°
C
-65到+175
°
C
3.5W
0.0 58.5
0.0
来源
344.5 400
*安装在一个无限大的散热器
单位：
µm
厚度： 100
±
5
芯片尺寸
±
50
邦德片1-2 （门） ：
键垫3-4（漏极） ：
60 x 60
60 x 60
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 4 GHz的所有RF测试
符号
I
DSS
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
单位
mA
分钟。
300
典型值。
400
马克斯。
600
V
P
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=20mA
V
-3.5
-2.0
-1.5
g
m
P
1dB
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=200mA
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
mS
-
250
-
DBM
27
28
-
G
1dB
dB
9
10
-
PAE
%
30
40
-
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