HWC34NC
C波段功率FET非导通孔芯片
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
低成本砷化镓功率场效应管
1525.0
外形尺寸
1392.5
A类或AB类操作
9
8.5分贝典型增益为4 GHz的
1235.0
5V至10V工作
1077.5
1
10
5
描述
920.0
2
6
该HWC34NC是功率GaAs FET设计
关于各种L波段& S波段的应用程序。
762.5
11
605.0
绝对最大额定值
447.5
3
12
7
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
290.0
-5V
132.5
4
13
0.0
8
I
DSS
6mA
175
°
C
-65到+175
°
C
12W
0.0
444.5
75.5
524.0
*安装在一个无限大的散热器
单位：
µm
厚度： 100
±5
芯片尺寸
±50
邦德片1-4 （门） ：
100 x 100
键垫5-8（漏极） ：
100 x 100
邦德片9-13 （来源） ： 100× 100
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 4 GHz的所有RF测试
符号
I
DSS
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
单位
mA
分钟。
900
典型值。
1200
马克斯。
1600
V
P
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=60mA
V
-3.5
-2.0
-1.5
g
m
P
1dB
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=600mA
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5 I
DSS
mS
-
700
-
DBM
32
33
-
G
1dB
dB
6.5
7.5
-
PAE
%
25
30
-
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