HWF1686YC
L波段大功率场效应管导通孔芯片
2002年秋V1
特点
输出功率：
P
1dB
=30dBm(typ.)
高增益：
G
L
=16dB(typ.)
高效率：
PAE=45%(typ.)
高线性度：
IP
3
=45dBm(typ.)
外形尺寸
650
描述
专为各种射频和微波
应用程序，
该
HWF1686YC
is
a
中等功率GaAs MESFET芯片，2
毫米栅宽度和0.7
µm
栅极长度。
单位：
m
厚度： 53 5
所有的邦德片：
60 x 60
±
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
2mA
175
°
C
-65到+175
°
C
5.4W
0 .0
0 .0
5 8 .5
*安装在一个无限大的散热器
电气规格
(T
A
=25
°
C)
符号
I
DSS
V
P
参数
饱和漏极电流
捏-O FF电压
跨
热阻
输出功率@ 1分贝增益
线性功率增益
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
三阶截取点
*
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
DS
=20mA
V
DS
= 3V ，我
DS
=200mA
渠道情况
V
DS
=10V
I
DS
=0.5I
DSS
f=2.4GHz
g
m
R
th
P
1dB
G
L
PAE
IP
3
* ：单载波电平15dBm时， 1兆赫之间相隔2音，电流调整为最佳IP
3
结合方式
门，排水，垫： 1线的每个垫
来源垫： 2根，每边
Hexawave公司2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾， ROC 。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
电子邮件：
sales@hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
μ
S 0 ü RCE
435
1
3
215
2
4
S 0 ü RCE
3 4 4 .5
400
焊垫：
1到2：门
3至4：漏
源电极连接
到芯片的被底
通孔
条件
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
dB
%
DBM
分钟。
300
-3.5
-
-
29.0
15
-
-
典型值。
400
-2.0
200
20
30.0
16
45
45
马克斯。
600
-1.5
-
28
-
-
-
-
HW [ HEXAWAVE, INC ]
