HWL26NC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HWL26NC
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内容描述：	L波段功率FET非导通孔芯片 [L-Band Power FET Non-Via Hole Chip]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 94 K
品牌：	HW [ HEXAWAVE, INC ]

HWL26NC

2004年3月

特点

•

低成本砷化镓功率场效应管

•

A类或AB类操作

•

17分贝典型增益为2.4 GHz的

•

5V至10V工作

376

外形尺寸

451.5

描述

该HWL26NC是一个中等功率GaAs FET

设计用于各种L波段& S波段的应用程序。

226

226.0

绝对最大额定值

英镑

漏极至源极

电压

栅极至源极电压

漏电流

栅电流

通道温度

储存温度

功耗

+15V

-5V

DSS

1毫安

175

-65到+175

1.7 W

0.0

75.5

275

440

524

单位：

µm

厚度： 50

±5

芯片尺寸

±50

焊盘1,3 （来源）： 100× 100

焊盘2

（门）： 100×100个

焊盘4

（漏）： 100× 100

*安装在一个无限大的散热器

电气规格

=25

C） F = 2.4 GHz的所有RF测试

符号

DSS

PARAMETERS &条件

饱和电流在V

=3V, V

=0V

夹断电压在V

= 3V ，我

= 10毫安

跨在V

= 3V ，我

-100毫安

输出功率在测试点

= 10V ，我

=0.5 I

DSS

增益1dB压缩点

= 10V ，我

=0.5 I

DSS

功率附加效率（P

OUT

= P

1dB

)

= 10V ，我

=0.5 I

DSS

单位

DBM

分钟。

150

-3.5

典型值。

200

-2.0

120

马克斯。

280

-1.5

1dB

PAE

Hexawave公司

2富强路II ，科学工业园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512

http://www.hw.com.tw

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