HWL27NPB
L波段的GaAs功率场效应管
2002年秋V1
特点
•
•
外形尺寸
塑料封装的GaAs功率场效应管
适用于商业无线
应用
高效率
3V操作
2
3
1
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
•
•
描述
该HWL27NPB是一个中等功率GaAs FET使用
表面贴装各种L波段式塑料封装
应用程序。
它适用于各种900兆赫， 1900
兆赫蜂窝/无线应用。
绝对最大额定值
V
DS
VGS
ID
IG
总胆固醇
TSTG
PT
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+7V
-5V
I
DSS
2mA
150
°
C
-65到+150
°
C
0.7W
PB封装（ SOT -23 ）
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 1900 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=20mA
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=200mA
热阻
输出功率在测试点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
°
C / W
分钟。
300
-3.5
-
-
典型值。
400
-2.0
220
45
马克斯。
-
-1.5
-
-
g
m
R
th
P
1dB
DBM
22.5
24.5
-
G
1dB
dB
8.0
-
PAE
%
40.0
-
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