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型号: HWL27YRA
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内容描述: L波段的GaAs功率场效应管 [L-Band GaAs Power FET]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 4 页 / 92 K
品牌: HW [ HEXAWAVE, INC ]
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HWL27YRA
L波段的GaAs功率场效应管
2002年秋V1
特点
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
大于17 dB的增益
5V至10V工作
外形尺寸
描述
该HWL27YRA是一个中等功率GaAs FET
设计用于各种L波段& S波段的应用程序。
它是在低成本的陶瓷封装当前课程。
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
2mA
175
°
C
-65到+175
°
C
3.5W
RA封装(陶瓷)
*安装在一个无限大的散热器
电气规格
(TA=25
°
C) F = 2400 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 3V ,我
D
=20mA
跨在V
DS
= 3V ,我
D
=200mA
热阻
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ,我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ,我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率(P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ,我
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
dB
%
分钟。
300
-3.5
-
-
27.5
16
35
典型值。
400
-2.0
250
30
29
17
42
马克斯。
600
-1.5
-
40
-
-
-
g
m
R
th
P
1dB
G
1dB
PAE
Hexawave公司2繁荣路二,科技园区,新竹,台湾, ROC 。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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电子邮件:
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